Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Gourvest E.
Gourvest E.
IstinaResearcherID (IRID): 599297716
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2013 Study of substrate orientations impact on Ultra Thin Buried Oxide (UTBOX) FDSOI High-K Metal gate technology performances
    • Ben Akkez Imed, Fenouillet-Beranger Claire, Cros Antoine, Perreau Pierre, Haendler Sébatien, Weber Olivier, Andrieu François, Pellissier-Tanon D., Abbate F., Richard C., Beneyton R., Gouraud P., Margain A., Borowiak C., Gourvest E., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Poiroux T., Skotnicki Thomas, Faynot Olivier, Balestra Francis, Ghibaudo Gérard, Boeuf Fréderic
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 90, с. 143-148 DOI

Статьи в сборниках

    • 2012 Impact of local back biasing on performance in hybrid FDSOI/bulk high-k/metal gate low power (LP) technology
    • Fenouillet-Beranger C., Perreau P., Benoist T., Richier C., Haendler S., Pradelle J., Bustos J., Brun P., Tosti L., Weber O., Andrieu F., Orlando B., Pellissier-Tanon D., Abbate F., Pvichard C., Beneyton R., Gregoire M., Ducote J., Gouraud P., Margain A., Borowiak C., Bianchini R., Planes N., Gourvest E., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Poiroux T., Skotnicki T., Faynot O., Boeuf F.
    • в сборнике 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), место издания IEEE DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь