Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, возможность загрузки и скачивания файлов временно недоступна.
скрыть
Деев П.М.
Соавторы:
Авакянц Л.П.
,
Базалевский М.А.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Kazakov I.P.
,
Казаков И.П.
2 статьи
,
2 доклада на конференциях
,
1 тезисы доклада
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 0, Scopus: 1
IstinaResearcherID (IRID): 9646447
Деятельность
Статьи в журналах
2018
Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Bazalevskii M.A.
,
Deev P.M.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 7, с. 849-852
DOI
2018
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Казаков И.П.
,
Базалевский М.А.
,
Деев П.М.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 52, № 7, с. 708-711
DOI
Доклады на конференциях
2016
Исследование методом спектроскопии фотоотражения механических деформаций и плотности зарядовых состояний в слоях LT-GaAs/Si(100)
(Стендовый)
Авторы:
Боков П.Ю.
,
Деев П.М.
18 Всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
, Санкт-Петербург, Россия, 28 ноября - 2 декабря 2016
2015
Спектры фотоотражения GaAs, выращенного при низких температурах на кремниевых подложках
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Базалевский М.А.
,
Деев П.М.
,
Казаков И.П.
,
Червяков А.В.
6-я Междунродная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники.
, Москва, Россия, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 20-21 мая 2015 г., Россия, 20-21 мая 2015
Тезисы докладов
2015
Спектры фотоотражения GaAs, выращенного при низких температурах на кремниевых подложках
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Базалевский М.А.
,
Деев П.М.
,
Казаков И.П.
,
Червяков А.В.
в сборнике
Сборник трудов 6-ой Междунродной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, тезисы