Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Труды ФТИАН
сборник
Год издания:
2018
Том:
28
Издательство:
ФГБУ "Издательство "Наука"
Местоположение издательства:
Москва
Добавил в систему:
Татаринцев Андрей Андреевич
Статьи, опубликованные в сборнике
2018
Технологии формирования затворного HkMG-стека с MIPS-структурой для МДП-транзистора с критическими размерами 32/28 нм
Мяконьких А.В.
,
Рогожин А.Е.
,
Татаринцев А.А.
,
Руденко К.В.
, Гущин О.П.
в сборнике
Труды ФТИАН
, издательство
ФГБУ "Издательство "Наука"
(Москва)
, том 28, с. 42-59
2018
Электронная литография и анизотропное плазмохимическое травление кремниевых FIN-структур для FINFET и SiNW транзисторов с размерами 11-22 нм
Мяконьких А.В.
,
Татаринцев А.А.
,
Руденко К.В.
в сборнике
Труды ФТИАН
, издательство
ФГБУ "Издательство "Наука"
(Москва)
, том 28, с. 59-65