ИСТИНА

• Член программного комитета: Хохлов Д.Р.
• Охват: Всероссийская с международным участием
• Даты проведения: 9-13 сентября 2019
• Место проведения: г. Новосибирск, Россия
• Организаторы:
  Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
  Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск
  Новосибирск, ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
• Число участников: 400
• Число иностранных участников: 10
• Число участников из МГУ: 15
• Число докладчиков: 400
• Веб-сайт: https://www.isp.nsc.ru/semicond2019/
• Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна

Доклады:

• 2019 Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe (Стендовый)
• Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Гавриленко В.И., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Галеева А.В.

• 2019 Высокочувствительный кристалл датчика давления с термокомпенсацией на основе биполярного транзистора с горизонтальной структурой p-n-p – типа проводимости (Стендовый)
• Автор: басов михаил викторович

• 2019 Динамическая спиновая инжекция в гибридной системе полупроводниковая квантовая яма – примесное состояние (Устный)
• Авторы: Маслова Н.С., Манцевич В.Н., Lahderanta E., Арсеев П.И., Аверкиев Н.С., Рожанский И.В.

• 2019 Коллективное движение волны зарядовой плотности под действием магнитного поля (Стендовый)
• Авторы: Фролов А.В., Орлов А.П., Синченко А.А., Монсо П.

• 2019 Насыщение поглощения экситонных переходов в коллоидных нанокристаллах CdSe в форме тетраподов (Стендовый)
• Авторы: Голинская А.Д., Смирнов А.М., Жаркова Е.В., Днепровский В.С., Котин П.А., Дорофеев С.Г., Козлова М.В.

• 2019 Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных гранулированных систем (Стендовый)
• Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.

• 2019 Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:H (Стендовый)
• Авторы: Курва И.А., Ормонт Н.Н.

• 2019 Особенности релаксации экситонов в коллоидных нанопластинках CdSe/CdS (Стендовый)
• Авторы: Смирнов А.М., Голинская А.Д., Жаркова Е.В., Днепровский В.С., Саиджонов Б.М., Васильев Р.Б., Козлова М.В.

• 2019 Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) (Стендовый)
• Авторы: Иконников А.В., Черничкин В.И., Дудин В.C., Акопян Д.А., Акимов А.Н., Климов А.Э., Терещенко О.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.

• 2019 Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах на основе Hg1-xCdxTe (Устный)
• Авторы: Казаков А.С., Галеева А.В., Долженко Д.Е., Рябова Л.И., Банников М.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Хохлов Д.Р.

• 2019 Рекомбинация носителей заряда в аморфных органических полупроводниках: можно ли преодолеть ланжевеновский предел? (Стендовый)
• Авторы: Новиков С.В., Тамеев А.Р.

• 2019 Рекомбинация носителей заряда в аморфных органических полупроводниках: эффекты пространственной корреляции энергетического ландшафта (Стендовый)
• Авторы: Новиков С.В., Тамеев А.Р.

• 2019 Управление пиннингом волны зарядовой плотности в соединениях RTe3 без изменения структуры материала (Стендовый)
• Авторы: Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Синченко А.А., Монсо П.

• 2019 Фотоиндуцированный нелокальный отклик в эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инверсным энергетическим спектром (Стендовый)
• Авторы: Казаков А.С., Галеева А.В., Артамкин А.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.

• 2019 Фотопроводимость и эффекты нарушения симметрии, индуцированные терагерцовым излучением и магнитным полем, в структурах на основе Hg1-xCdxTe (Приглашенный)
• Авторы: Галеева А.В., Казаков А.С., Артамкин А.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.