Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Microelectronic Engineering
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Microelectr. Eng
Издательство:
Elsevier BV
Местоположение издательства:
Netherlands
ISSN:
0167-9317 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
следующая >>
2001
Four-angle evaporation method for the preparation of single electron tunneling devices
Weimann T.
,
Scherer H.
,
Krupenin V.A.
, et al.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 57, № 8, с. 915
DOI
1999
Effect of local surface structure on electronic properties of hydrogenated silicon surfaces
Dittrich T.
,
Timoshenko V.Y.
,
Schwartzkopff M.
, Hartmann E.,
Rappich J.
, Kashkarov P.K.,
Koch F.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 48, № 1-4, с. 75-78
DOI
1999
Simulation and measurement of resist heating in multipass exposure using a 50 kV variably shaped beam system
Babin S.
, Hartmann H.,
Kuzmin I.Yu
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 46, № 1-4, с. 231-234
1998
A New Technology for Metallic Multilayer Single Electron Tunneling Devices
Weimann Th
,
Scherer H.
,
Wolf H.
,
Krupenin V.A.
,
Niemeyer J.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 41, № 42, с. 559-562
DOI
1998
Conducting wires embedded in an i-GaAs matrix for electronic applications
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Kytin V.G.
, Bugaev A.S.,
Senichkin A.P.
, Demin A.V.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 43, с. 319-324
DOI
1998
Low temperature transport properties of InAs/GaAs structures with quantum dots
Kulbachinskii V.A.
,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
, Malkina I.G., Zvonkov B.N., Safyanov Y.N.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 43, с. 107-111
DOI
1998
Preparation of ultra-sharp diamond tip emitters by ion beam etching
Givargizov E.I.
, Stepanova A.N.,
Mashkova E.S.
,
Molchanov V.A.
, Shi F.,
Hudek P.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 41, с. 499-502
1998
Software for Temperature Simulation (TEMPTATION) in Electron-Beam Lithography
Babin S.
,
Kuzmin I.Yu
, Sergeev G.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 41, с. 191
1995
Deposition of PbTiO3 thin films from thd-complexes by an aerosol source MOCVD method
Korsakov I.E.
,
Kaul A.R.
, Klippe L.,
Korn J.
, Krause U., Pulver M.,
Wahl G.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 29, № 1-4, с. 205-208
DOI
1990
SEM investigation of semiconductors by the capacitance techniques
AristovOleg V KononchukEdward I RauEugeny B Yakimov Vitaly V.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 12, № 1-4
1990
SEM investigation of semiconductors by the capacitance techniques
Aristov Vitaly V.
,
Kononchuk Oleg V.
,
Rau Edward I.
,
Yakimov Eugeny B.
в журнале
Microelectronic Engineering
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 12, № 1-4
DOI
Страницы:
<< предыдущая
1
2
следующая >>