ИСТИНА

Акмаев Марк Александрович пользователь

Прежние места работы (Нажмите для отображения)

Соавторы: Burbaev T., Tsvetkov V.A., Клековкин А.В., Сибельдин Н.Н., Алещенко Ю.А., Садофьев Ю.Г., николаев с.н., Aleshkin V.Y., Krivobok V.S., КОзырев Д.Д., Скориков М.Л.

8 статей, 6 докладов на конференциях, 15 тезисов докладов, 4 награды

Количество цитирований статей в журналах по данным Scopus: 2
РИНЦ:

IstinaResearcherID (IRID): 74527859

ResearcherID: A-9165-2018

Scopus Author ID: 57194031683

ORCID: 0000-0003-2848-2630

Деятельность

---

• Статьи в журналах

  • 
    • 2019 Spatial distribution of the luminescence of an electron-hole system in a double-well Si/SiGe/Si heterostructure
    • Akmaev M.A., Ushakov V.V., Tsvetkov V.A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 1199, с. 012013 DOI
  • • 2019 Выращивание квантовых ям Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) с модуляцией молекулярного потока Ge II. Низкотемпературная фотолюминесценция
    • Клековкин А.В., Казаков И.П., Цветков В.А., Акмаев М.А., Зиновьев С.А.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), том 46, № 3, с. 17-22
  • 
    • 2018 Effect of a Low-Temperature Si Underlayer on the Photoluminescence of Misfit Dislocations in Si(001)Si1 − xGe x Heterostructures with Ge-Rich Alloy Layers
    • Akmaev M.A., Burbaev T.M.
    • в журнале Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 82, № 4, с. 409-411 DOI
  • • 2018 Влияние низкотемпературного si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 82, № 4, с. 468-470 DOI
  • • 2018 Выращивание квантовых ям Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) с модуляцией молекулярного потока Ge I. Молекулярно - пучковая эпитаксия
    • Казаков И.П., Клековкин А.В., Цветков В.А., Акмаев М.А., Уваров О.В.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), № 12, с. 40-46
  • 
    • 2017 Dipolar electron-hole liquid in a double-well SiGe/Si heterosystem
    • Akmaev M.A., Burbaev T.M.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 816, № 1, с. 012016 DOI
  • 
    • 2017 Phase transitions in a two-dimensional system of dipolar excitons in a double-well SiGe/Si heterostructure
    • Burbaev T.M., Akmaev M.A., Sibeldin N.N., Ushakov V.V., Novikov A.V., Lobanov D.N.
    • в журнале Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 81, № 3, с. 341-344 DOI
  • • 2017 Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Si
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Ушаков В.В., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 81, № 3, с. 370-373 DOI

• Доклады на конференциях

  • • 2019 Исследование пространственного распределения фотолюминесценции электронно-дырочной системы в гетероструктуре Si/SiGe/Si с двумя квантовыми ямами (Устный)
    • Автор: Акмаев М.А.
    • Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019», Москва, Россия, 11 апреля 2019
  • • 2018 Пространственное распределение люминесценции электронно-дырочной системы в двухямной гетероструктуре Si/SiGe/Si. (Устный)
    • Авторы: Акмаев М.А., Цветков В.А.
    • 20 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто-, и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 26-30 ноября 2018
  • • 2017 Диполярные экситоны и электронно-дырочная жидкость в SiGe/Si гетеросистеме с двумя квантовыми ямами (Устный)
    • Автор: Акмаев М.А.
    • XXIV Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов – 2017", МГУ имени М.В.Ломоносова, Россия, 20 апреля 2017
  • • 2016 Диполярная электронно-дырочная жидкость в SiGe/Si гетеросистеме (Устный)
    • Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А.
    • 18 Всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 28 ноября - 2 декабря 2016
  • • 2016 Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора (Стендовый)
    • Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А.
    • Вторая Всероссийская конференция “Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника”, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Россия, 28 сентября - 30 октября 2016
  • • 2015 Экситоны и электронно-дырочная жидкость в диполярной SiGe/Si гетеросистеме с квантовыми ямами для электронов и дырок (Стендовый)
    • Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Николаев С.Н., Кривобок В.С., Козырев Д.С.
    • Всероссийская конференция «Импульсная сильноточная и полупроводниковая электроника, ИСПЭ-2015» , Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия, 27-28 мая 2015

• Тезисы докладов

  • • 2019 Исследование пространственного распределения фотолюминесценции электронно-дырочной системы в гетероструктуре Si/SiGe/Si с двумя квантовыми ямами
    • Акмаев М.А.
    • в сборнике Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2019», издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 836-837
    • редакторы Алешковский Иван Андреевич, Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович
  • • 2018 Growing of Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) quantum wells by modulation of the Ge flow
    • Klekovkin A.V., Kazakov I.P., Tsvetkov V.A., Akmaev M.A., Uvarov O.V.
    • в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 189
  • • 2018 Growing on silicon multilayer heterostructures of Ge/SiGe for optoelectronics
    • Burbaev T.M., Sadofyev Yu G., Akmaev M.A., Aleshkin V.Ya, Aleshchenko Yu A., Klekovkin A.V., Muratov A.V., Novikov A.V., Ushakov V.V., Yunin P.A., Yurasov D.V.
    • в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 172
  • • 2018 Выращенные на кремнии многослойные гетероструктуры Ge/SiGe для оптоэлектроники
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.А., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва, тезисы, с. 72-73
  • • 2018 Выращивание квантовых ям Si/SiGe/Si (x<0,1) на основе короткопериодных сверхрешеток
    • Клековкин А.В., Казаков И.П., Цветков В.А., Акмаев М.А., Зиновьев С.А.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва, тезисы, с. 74-75
  • • 2018 Пространственное распределение диполярных экситонов и ЭДЖ в двухямных кремний-германиевых гетероструктурах
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Ушаков В.В., Цветков В.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике Нанофизика и наноэлектроника. Труды ХХII международного симпозиума. 12-15 марта,, место издания Издательство Нижегородского университета имени Н.И.Лобачевского Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 556-557
  • • 2018 Пространственное распределение люминесценции электронно-дырочной системы в двухямной гетероструктуре Si/SiGe/Si
    • Акмаев М.А., Цветков В.А.
    • в сборнике Тезисы докладов 20-й Всероссийской молодежной конференции "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто-, и наноэлектроника", место издания ПОЛИТЕХ-ПРЕСС Санкт-Петербург, тезисы, с. 40
  • • 2017 Диполярные экситоны и электронно-дырочная жидкость в SiGe/Si гетеросистеме с двумя квантовыми ямами
    • Акмаев М.А.
    • в сборнике Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2017», издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 644-645
    • редакторы Алешковский Иван Андреевич, Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович
  • • 2017 Нанострутуры для оптоэлектроники на основе многослойных гетероструктур Ge/SiGe, выращенных на кремнии
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.Я., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Сборник трудов 3 всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2017), место издания ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва Москва, тезисы, с. 139-141
  • • 2017 Прямозонное экситонное поглощение в кремниевых наноструктурах с системами квантовых ям Ge/SiGe
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.Я., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Труды VII международного междисциплинарного симпозиума "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы" (ФПЯ и ФП) “Physics of surface phenomena, interfaces boundaries and phase transitions” (PSP & PT), серия 7, том 1, тезисы, с. 43-45
  • • 2016 Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М.
    • в сборнике Сборник тезисов 2 Юбилейной всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2016), место издания ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва, тезисы, с. 59-61
  • • 2016 Диполярная электронно-дырочная жидкость в SiGe/Si гетеросистеме
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М.
    • в сборнике Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике: тезисы докладов 18-й всерос. молод. конф. 28 ноября - 2 декабря 2016 года, место издания Изд-во Политехн. ун-та Санкт-Петербург, тезисы, с. 46
  • • 2016 Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Si
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Николаев С.Н., Ушаков В.В., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике Труды VI международного междисциплинарного симпозиума "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы" (ФПЯ и ФП) “Physics of surface phenomena, interfaces boundaries and phase transitions” (PSP & PT), серия 6, том 1, тезисы, с. 57-60
  • • 2015 Экситоны и электронно-дырочная жидкость в диполярной SiGe/Si гетеросистеме с квантовыми ямами для электронов и дырок
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М., Козырев Д.С., Кривобок В.С., Николаев С.Н.
    • в сборнике Труды Всероссийской конференции «Импульсная сильноточная и полупроводниковая электроника, ИСПЭ-2015», место издания Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, тезисы, с. 123-124
  • • 2015 Электронно-дырочная жидкость в Si/Ge гетероструктурах II рода
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Козырев Д.С., Кривобок В.С., Николаев С.Н., Сибельдин Н.Н., Ушаков В.В., Цветков В.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 40

• Награды и премии

  • • 2019 Грамота за лучший доклад на секции "Физика" конференции "Ломоносов 2019"
    • Лауреат: Акмаев М.А.
    • Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Россия
  • • 2018 Диплом II степени программного комитета XX Всероссийской молодежной конференции по физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
    • Лауреат: Акмаев М.А.
  • • 2017 Победитель конкурса научных студенческих работ имени Р.В. Хохлова
    • Лауреат: Акмаев М.А.
    • МГУ им. М.В. Ломоносова, Физический Факультет, Россия
  • • 2016 Диплом программного комитета XVIII Всероссийской молодежной конференции по физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
    • Лауреат: Акмаев М.А.

---