ИСТИНА

Burbaev Timur

Соавторы: Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Алещенко Ю.А., КОзырев Д.Д., Клековкин А.В., Садофьев Ю.Г., николаев с.н., Aleshkin V.Y., Anderson T., Krivobok V.S., Kryliouk O., Park H.J., Tsvetkov V.A. показать полностью..., Хохлов Д.Р., Kang S.W., Won Y.S., Скориков М.Л.

10 статей, 5 докладов на конференциях, 10 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 21, Scopus: 25

IstinaResearcherID (IRID): 1929573

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2018 Effect of a Low-Temperature Si Underlayer on the Photoluminescence of Misfit Dislocations in Si(001)Si1 − xGe x Heterostructures with Ge-Rich Alloy Layers
    • Akmaev M.A., Burbaev T.M.
    • в журнале Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 82, № 4, с. 409-411 DOI
  • • 2018 Влияние низкотемпературного si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 82, № 4, с. 468-470 DOI
  • 
    • 2017 Dipolar electron-hole liquid in a double-well SiGe/Si heterosystem
    • Akmaev M.A., Burbaev T.M.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 816, № 1, с. 012016 DOI
  • 
    • 2017 Phase transitions in a two-dimensional system of dipolar excitons in a double-well SiGe/Si heterostructure
    • Burbaev T.M., Akmaev M.A., Sibeldin N.N., Ushakov V.V., Novikov A.V., Lobanov D.N.
    • в журнале Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 81, № 3, с. 341-344 DOI
  • • 2017 Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Si
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Ушаков В.В., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 81, № 3, с. 370-373 DOI
  • 
    • 2014 LUMINESCENCE OF A QUASI-TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-HOLE LIQUID AND EXCITONIC MOLECULES IN SI/SIGE/SI HETEROSTRUCTURES UPON TWO-ELECTRON TRANSITIONS
    • Burbaev T.M., Kozyrev D.S., Sibeldin N.N., Skorikov M.L.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 98, № 12, с. 823-828
  • • 2013 ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАЗИДВУМЕРНОЙ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОЙ ЖИДКОСТИ И ЭКСИТОННЫХ МОЛЕКУЛ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ SI/SIGE/SI ПРИ ДВУХЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДАХ
    • Бурбаев Т.М., Козырев Д.С., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л.
    • в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 98, № 11-12, с. 926-932
  • • 2013 Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах
    • Бурбаев Т.М., Козырев Д.С., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л.
    • в журнале Письма в "ЖЭТФ", том 98, № 12, с. 926-932
  • 
    • 2007 Growth of InN films and nanorods by H-MOVPE
    • Park Hyun Jong, Kryliouk Olga, Anderson Tim, Khokhlov Dmitry, Burbaev Timur
    • в журнале Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 37, № 1-2, с. 142-147 DOI
  • 
    • 2007 Prevention of In droplets formation by HCl addition during metal organic vapor phase epitaxy of InN
    • Kang Sang Won, Park Hyun Jong, Won Yong Sun, Kryliouk Olga, Anderson Tim, Khokhlov Dmitry, Burbaev Timur
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 90, № 16 DOI

• Доклады на конференциях

  • • 2017 Dipolar and spatially direct excitons in type-II Si1-xGex heterostructures. Wave functions and binding energies in the self-consistent potential model (Стендовый)
    • Авторы: Бурбаев Т.М., Левашова Н.Т., Тищенко Б.В.
    • 25th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, Санкт-Петербург, Россия, 26-30 июня 2017
  • • 2017 РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ О ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЯХ ЭКСИТОНОВ В ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУРАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОДЕЛИ САМОСОГЛАСОВАННОГО ПОТЕНЦИАЛА (Устный)
    • Авторы: Левашова Н.Т., Бурбаев Т.М., Тищенко Б.В.
    • XIX Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов» , г. Москва, МГУ, Россия, 10-14 апреля 2017
  • • 2016 Диполярная электронно-дырочная жидкость в SiGe/Si гетеросистеме (Устный)
    • Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А.
    • 18 Всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 28 ноября - 2 декабря 2016
  • • 2016 Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора (Стендовый)
    • Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А.
    • Вторая Всероссийская конференция “Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника”, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Россия, 28 сентября - 30 октября 2016
  • • 2015 Экситоны и электронно-дырочная жидкость в диполярной SiGe/Si гетеросистеме с квантовыми ямами для электронов и дырок (Стендовый)
    • Авторы: Бурбаев Т.М., Козырев Д.С., Кривобок В.С., Николаев С.Н., Акмаев М.А.
    • Всероссийская конференция «Импульсная сильноточная и полупроводниковая электроника, ИСПЭ-2015» , Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия, 27-28 мая 2015

• Тезисы докладов

  • • 2018 Growing on silicon multilayer heterostructures of Ge/SiGe for optoelectronics
    • Burbaev T.M., Sadofyev Yu G., Akmaev M.A., Aleshkin V.Ya, Aleshchenko Yu A., Klekovkin A.V., Muratov A.V., Novikov A.V., Ushakov V.V., Yunin P.A., Yurasov D.V.
    • в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 172
  • • 2018 Выращенные на кремнии многослойные гетероструктуры Ge/SiGe для оптоэлектроники
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.А., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва, тезисы, с. 72-73
  • • 2018 Пространственное распределение диполярных экситонов и ЭДЖ в двухямных кремний-германиевых гетероструктурах
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Ушаков В.В., Цветков В.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике Нанофизика и наноэлектроника. Труды ХХII международного симпозиума. 12-15 марта,, место издания Издательство Нижегородского университета имени Н.И.Лобачевского Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 556-557
  • • 2017 Нанострутуры для оптоэлектроники на основе многослойных гетероструктур Ge/SiGe, выращенных на кремнии
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.Я., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Сборник трудов 3 всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2017), место издания ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва Москва, тезисы, с. 139-141
  • • 2017 Прямозонное экситонное поглощение в кремниевых наноструктурах с системами квантовых ям Ge/SiGe
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.Я., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Труды VII международного междисциплинарного симпозиума "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы" (ФПЯ и ФП) “Physics of surface phenomena, interfaces boundaries and phase transitions” (PSP & PT), серия 7, том 1, тезисы, с. 43-45
  • • 2016 Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М.
    • в сборнике Сборник тезисов 2 Юбилейной всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2016), место издания ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва, тезисы, с. 59-61
  • • 2016 Диполярная электронно-дырочная жидкость в SiGe/Si гетеросистеме
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М.
    • в сборнике Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике: тезисы докладов 18-й всерос. молод. конф. 28 ноября - 2 декабря 2016 года, место издания Изд-во Политехн. ун-та Санкт-Петербург, тезисы, с. 46
  • • 2016 Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Si
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Николаев С.Н., Ушаков В.В., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике Труды VI международного междисциплинарного симпозиума "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы" (ФПЯ и ФП) “Physics of surface phenomena, interfaces boundaries and phase transitions” (PSP & PT), серия 6, том 1, тезисы, с. 57-60
  • • 2015 Экситоны и электронно-дырочная жидкость в диполярной SiGe/Si гетеросистеме с квантовыми ямами для электронов и дырок
    • Акмаев М.А., Бурбаев Т.М., Козырев Д.С., Кривобок В.С., Николаев С.Н.
    • в сборнике Труды Всероссийской конференции «Импульсная сильноточная и полупроводниковая электроника, ИСПЭ-2015», место издания Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, тезисы, с. 123-124
  • • 2015 Электронно-дырочная жидкость в Si/Ge гетероструктурах II рода
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Козырев Д.С., Кривобок В.С., Николаев С.Н., Сибельдин Н.Н., Ушаков В.В., Цветков В.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 40