Burbaev Timur
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 21,
Scopus: 25
IstinaResearcherID (IRID): 1929573
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
Доклады на конференциях
-
Тезисы докладов
-
-
2018
Growing on silicon multilayer heterostructures of Ge/SiGe for optoelectronics
-
Burbaev T.M.,
Sadofyev Yu G.,
Akmaev M.A.,
Aleshkin V.Ya,
Aleshchenko Yu A.,
Klekovkin A.V.,
Muratov A.V.,
Novikov A.V.,
Ushakov V.V.,
Yunin P.A.,
Yurasov D.V.
-
в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 172
-
-
2018
Выращенные на кремнии многослойные гетероструктуры Ge/SiGe для оптоэлектроники
-
Бурбаев Т.М.,
Садофьев Ю.Г.,
Акмаев М.А.,
Алешкин В.А.,
Алещенко Ю.А.,
Клековкин А.В.,
Муратов А.В.,
Новиков А.В.,
Ушаков В.В.,
Юнин П.А.,
Юрасов Д.В.
-
в сборнике Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва, тезисы, с. 72-73
-
-
2018
Пространственное распределение диполярных экситонов и ЭДЖ в двухямных кремний-германиевых гетероструктурах
-
Бурбаев Т.М.,
Акмаев М.А.,
Сибельдин Н.Н.,
Скориков М.Л.,
Ушаков В.В.,
Цветков В.А.,
Новиков А.В.,
Лобанов Д.Н.
-
в сборнике Нанофизика и наноэлектроника. Труды ХХII международного симпозиума. 12-15 марта,, место издания Издательство Нижегородского университета имени Н.И.Лобачевского Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 556-557
-
-
2017
Нанострутуры для оптоэлектроники на основе многослойных гетероструктур Ge/SiGe, выращенных на кремнии
-
Бурбаев Т.М.,
Садофьев Ю.Г.,
Акмаев М.А.,
Алешкин В.Я.,
Алещенко Ю.А.,
Клековкин А.В.,
Муратов А.В.,
Новиков А.В.,
Ушаков В.В.,
Юнин П.А.,
Юрасов Д.В.
-
в сборнике Сборник трудов 3 всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2017), место издания ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва Москва, тезисы, с. 139-141
-
-
2017
Прямозонное экситонное поглощение в кремниевых наноструктурах с системами квантовых ям Ge/SiGe
-
Бурбаев Т.М.,
Садофьев Ю.Г.,
Акмаев М.А.,
Алешкин В.Я.,
Алещенко Ю.А.,
Клековкин А.В.,
Муратов А.В.,
Новиков А.В.,
Ушаков В.В.,
Юнин П.А.,
Юрасов Д.В.
-
в сборнике Труды VII международного междисциплинарного симпозиума "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы" (ФПЯ и ФП) “Physics of surface phenomena, interfaces boundaries and phase transitions” (PSP & PT), серия 7, том 1, тезисы, с. 43-45
-
-
-
-
2016
Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Si
-
Бурбаев Т.М.,
Акмаев М.А.,
Сибельдин Н.Н.,
Николаев С.Н.,
Ушаков В.В.,
Новиков А.В.,
Лобанов Д.Н.
-
в сборнике Труды VI международного междисциплинарного симпозиума "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы" (ФПЯ и ФП) “Physics of surface phenomena, interfaces boundaries and phase transitions” (PSP & PT), серия 6, том 1, тезисы, с. 57-60
-
-
-
2015
Электронно-дырочная жидкость в Si/Ge гетероструктурах II рода
-
Бурбаев Т.М.,
Акмаев М.А.,
Козырев Д.С.,
Кривобок В.С.,
Николаев С.Н.,
Сибельдин Н.Н.,
Ушаков В.В.,
Цветков В.А.,
Новиков А.В.,
Лобанов Д.Н.
-
в сборнике XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 40