ИСТИНА

Tsvetkov V.A.

Соавторы: Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Кочиев М.В., Клековкин А.В., Burbaev T., Скориков М.Л., Krivobok V.S., КОзырев Д.Д., николаев с.н.

8 статей, 2 доклада на конференциях, 5 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 7, Scopus: 8

IstinaResearcherID (IRID): 67773050

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2019 Spatial distribution of the luminescence of an electron-hole system in a double-well Si/SiGe/Si heterostructure
    • Akmaev M.A., Ushakov V.V., Tsvetkov V.A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 1199, с. 012013 DOI
  • • 2019 Выращивание квантовых ям Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) с модуляцией молекулярного потока Ge II. Низкотемпературная фотолюминесценция
    • Клековкин А.В., Казаков И.П., Цветков В.А., Акмаев М.А., Зиновьев С.А.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), том 46, № 3, с. 17-22
  • • 2018 Выращивание квантовых ям Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) с модуляцией молекулярного потока Ge I. Молекулярно - пучковая эпитаксия
    • Казаков И.П., Клековкин А.В., Цветков В.А., Акмаев М.А., Уваров О.В.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), № 12, с. 40-46
  • 
    • 2015 KINETICS OF ACCUMULATION OF EXCESS HOLES UNDER PHOTOEXCITATION AND THEIR RELAXATION IN GAAS/ALGAAS SHALLOW QUANTUM WELLS
    • Kochiev M.V., Tsvetkov V.A., Sibeldin N.N.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 101, № 3, с. 183-188
  • • 2015 КИНЕТИКА НАКОПЛЕНИЯ ПРИ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ И РЕЛАКСАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ ДЫРОК В МЕЛКИХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ GAAS/ALGAAS
    • Кочиев М.В., Цветков В.А., Сибельдин Н.Н.
    • в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 101, № 3-4, с. 200-206
  • 
    • 2012 ACCUMULATION OF THE EXCESS OF ONE TYPE OF CHARGE CARRIERS AND THE FORMATION OF TRIONS IN GAAS/ALGAAS SHALLOW QUANTUM WELLS
    • Kochiev M.V., Tsvetkov V.A., Sibeldin N.N.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 95, № 9, с. 481-485
  • • 2012 ВЛИЯНИЕ УРОВНЯ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ НА ТЕМПЕРАТУРНОЕ ТУШЕНИЕ И ДИНАМИКУ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СТРУКТУР GAAS/ALGAAS С МЕЛКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
    • Кочиев М.В., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Цветков В.А.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 76, № 2, с. 247-247
  • • 2012 Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    • Кочиев М.В., Цветков В.А., Сибельдин Н.Н.
    • в журнале Письма в "ЖЭТФ", том 95, № 9, с. 544-549

• Доклады на конференциях

  • • 2018 Пространственное распределение люминесценции электронно-дырочной системы в двухямной гетероструктуре Si/SiGe/Si. (Устный)
    • Авторы: Цветков В.А., Акмаев М.А.
    • 20 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто-, и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 26-30 ноября 2018
  • • 2017 Propagation of hypersound coherent phonons in diamond wafers at room temperature (Стендовый)
    • Авторы: Klokov A.Yu, Sharkov A.I., Evlashin S., Tsvetkov V.A., Khmelnitsky R.A.
    • 19th International Conference on Photoacoustic and Photothermal Phenomena (ICPPP19), Бильбао, Испания, 16-20 июля 2017

• Тезисы докладов

  • • 2018 Growing of Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) quantum wells by modulation of the Ge flow
    • Klekovkin A.V., Kazakov I.P., Tsvetkov V.A., Akmaev M.A., Uvarov O.V.
    • в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 189
  • • 2018 Выращивание квантовых ям Si/SiGe/Si (x<0,1) на основе короткопериодных сверхрешеток
    • Клековкин А.В., Казаков И.П., Цветков В.А., Акмаев М.А., Зиновьев С.А.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва, тезисы, с. 74-75
  • • 2018 Пространственное распределение диполярных экситонов и ЭДЖ в двухямных кремний-германиевых гетероструктурах
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Ушаков В.В., Цветков В.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике Нанофизика и наноэлектроника. Труды ХХII международного симпозиума. 12-15 марта,, место издания Издательство Нижегородского университета имени Н.И.Лобачевского Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 556-557
  • • 2018 Пространственное распределение люминесценции электронно-дырочной системы в двухямной гетероструктуре Si/SiGe/Si
    • Акмаев М.А., Цветков В.А.
    • в сборнике Тезисы докладов 20-й Всероссийской молодежной конференции "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто-, и наноэлектроника", место издания ПОЛИТЕХ-ПРЕСС Санкт-Петербург, тезисы, с. 40
  • • 2015 Электронно-дырочная жидкость в Si/Ge гетероструктурах II рода
    • Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Козырев Д.С., Кривобок В.С., Николаев С.Н., Сибельдин Н.Н., Ушаков В.В., Цветков В.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
    • в сборнике XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 40