Влияние низкотемпературного si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого растворастатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 февраля 2019 г.

Работа с статьей


[1] Акмаев М. А., Бурбаев Т. М. Влияние низкотемпературного si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах si(001) si1-xgex с повышенным содержанием ge в слое твердого раствора // Известия Российской академии наук. Серия физическая. — 2018. — Т. 82, № 4. — С. 468–470. Методом спектроскопии фотолюминесценции исследовано влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора. Обнаружено, что наличие такого слоя блокирует образование дислокаций в слое твердого раствора SiGe. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть