Влияние низкотемпературного si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого растворастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 февраля 2019 г.
Аннотация:Методом спектроскопии фотолюминесценции исследовано влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора. Обнаружено, что наличие такого слоя блокирует образование дислокаций в слое твердого раствора SiGe.