|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Выращивание квантовых ям Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) с модуляцией молекулярного потока Ge II. Низкотемпературная фотолюминесценциястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Клековкин А.В., Казаков И.П., Цветков В.А., Акмаев М.А., Зиновьев С.А.
- Журнал: Краткие сообщения по физике
- Том: 46
- Номер: 3
- Год издания: 2019
- Издательство: Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 17
- Последняя страница: 22
- Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович