Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopyстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 августа 2016 г.

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст 1.4955426.pdf 2,6 МБ 7 июля 2016 [pbokov]