Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Goldhahn R.
Соавторы:
Feneberg M.
,
Боков П.Ю.
,
Berger Raphael J.F.
,
Bläsing J.
,
Brazzini T.
,
Calle F.
,
Callsen G.
,
Dadgar A.
,
Freytag S.
,
Hoffmann A.C.
,
Nippert F.
,
Romero M.F.
2 статьи
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 10, Scopus: 10
IstinaResearcherID (IRID): 10551203
Деятельность
Статьи в журналах
2016
Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy
Freytag S.
,
Feneberg M.
,
Berger C.
,
Bläsing J.
,
Dadgar A.
,
Callsen G.
,
Nippert F.
,
Hoffmann A.
,
Bokov P.Yu
,
Goldhahn R.
в журнале
Journal of Applied Physics
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 120, № 1, с. 015703
DOI
2015
Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures
Bokov P.Yu
,
Brazzini T.
,
Romero M.F.
,
Calle F.
,
Feneberg M.
,
Goldhahn R.
в журнале
Semiconductor Science and Technology
, издательство
IOP Publishing
([Bristol, UK], England)
, том 30, № 8, с. 085014
DOI