Recombination Probabilities of О and Н Atoms on the Surface of Nanoporous Low-K SiOCH Dielectrics - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Recombination Probabilities of О and Н Atoms on the Surface of Nanoporous Low-K SiOCH Dielectricsстатья

Авторы: Braginsky O.V., Kovalev A.S., Lopaev D.V., Malykhin E.M., Mankelevich Yu A., Rakhimova T.V., Rakhimov A.T., Vasilieva A.N., Zyryanov S.M., Baklanov M.R.
Сборник: Proceedings of Advanced Metallization Conference (AMC), September 23-25 2008, San Diego California, USA, and October 8-10 2008, Tokyo, Japan
Год издания: 2008
Место издания: San Diego California, USA, and Tokyo, Japan
Добавил в систему: Лопаев Дмитрий Викторович