|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Structural Features and Electrical Properties of Si(Al) Thermomigration Channels for High-Voltage Photoelectric Convertersстатья
- Авторы: Lomov A.A., Seredin B.M., Martyushov S.Yu, Tatarintsev A.A., Popov V.P., Malibashev A.V.
- Журнал: Russian Microelectronics
- Том: 53
- Номер: 2
- Год издания: 2024
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 135
- Последняя страница: 146
- DOI: 10.1134/s1063739724600109
- Добавил в систему: Татаринцев Андрей Андреевич