Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Siстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.

Работа с статьей


[1] Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе sige/si / Т. М. Бурбаев, М. А. Акмаев, Н. Н. Сибельдин и др. // Известия Российской академии наук. Серия физическая. — 2017. — Т. 81, № 3. — С. 370–373. В двумерных слоях гетероструктуры (buffer Si1 – уGeу)/tSi/sSi1 – xGex/tSi/(cap Si1 – уGeу) II рода методом спектроскопии фотолюминесценции при гелиевых температурах и высоких уровнях возбуждения исследован переход от диполярной к пространственно прямой электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), происходящий при уменьшении толщины барьерного для электронов слоя sSi1 – xGex (квантовой ямы (КЯ) для дырок), разделяющего электронные КЯ (слои tSi). Определены основные характеристики ЭДЖ обоих типов. Определено время жизни диполярных экситонов. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть