Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Siстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.
Аннотация:В двумерных слоях гетероструктуры (buffer Si1 – уGeу)/tSi/sSi1 – xGex/tSi/(cap Si1 – уGeу) II рода методом спектроскопии фотолюминесценции при гелиевых температурах и высоких уровнях возбуждения исследован переход от диполярной к пространственно прямой электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), происходящий при уменьшении толщины барьерного для электронов слоя sSi1 – xGex (квантовой ямы (КЯ) для дырок), разделяющего электронные КЯ (слои tSi). Определены основные характеристики ЭДЖ обоих типов. Определено время жизни диполярных экситонов.