Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора
тезисы доклада
Авторы:
Акмаев М.А.
,
Бурбаев Т.М.
Сборник:
Сборник тезисов 2 Юбилейной всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2016)
Тезисы
Год издания:
2016
Место издания:
ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва
Первая страница:
59
Последняя страница:
61
Добавил в систему:
Акмаев Марк Александрович