Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого растворатезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Акмаев М. А., Бурбаев Т. М. Влияние низкотемпературного si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах si(001)si1-xgex с повышенным содержанием ge в слое твердого раствора // Сборник тезисов 2 Юбилейной всероссийской конференции Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника (ИСВПЭ-2016). — ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва, 2016. — С. 59–61.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть