Нанострутуры для оптоэлектроники на основе многослойных гетероструктур Ge/SiGe, выращенных на кремниитезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Нанострутуры для оптоэлектроники на основе многослойных гетероструктур ge/sige, выращенных на кремнии / Т. М. Бурбаев, Ю. Г. Садофьев, М. А. Акмаев и др. // Сборник трудов 3 всероссийской конференции Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника (ИСВПЭ-2017). — ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва Москва, 2017. — С. 139–141.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть