–
Статьи в журналах
-
- 1973 Implantation angle influence on penetration of boron channelltd ions into silicon
- Gverdtsiteli I.G., Guldamashvili A.I., Diasamidze E.M., Zaslavsky S.A., Kalinin A.N., Kumakhov M.A., Muralev V.A.
- в журнале Radiation effects, издательство Gordon and Breach. (New York, United States), том 19, с. 171-174
-
- 1973 Multiple scattering of channeling ions in crystals II. Planar channeling
- Beloshitsky V.V., Kumakhov M.A., Murale V.A.
- в журнале Radiation effects, издательство Gordon and Breach. (New York, United States), том 20, с. 95-109
-
- 1972 Multiple scattering of channeled ions in crystals
- Beloshitsky V.V., Kumakhov M.A., Muralev V.A.
- в журнале Radiation effects, издательство Gordon and Breach. (New York, United States), том 13, с. 9-22
-
- 1972 Пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии, облученном ионами бора и фосфора
- Кумахов М.А., Муралев В.А.
- в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 6, № 8, с. 1564-1570