|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Investigation of the Process of Open Plasma-Chemical Etching of HkMG Stack Nanoscale Transistor with a 32-nm Critical Dimensionстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 декабря 2018 г.
- Авторы: Myakonkikh A.V., Kuvaev K.Yu, Tatarintsev A.A., Orlikovskii N.A., Rudenko K.V., Guschin O.P., Gornev E.S.
- Журнал: Russian Microelectronics
- Том: 47
- Номер: 5
- Год издания: 2018
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 325
- Последняя страница: 333
- DOI: 10.1134/S1063739718050062
- Добавил в систему: Татаринцев Андрей Андреевич