|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Спектроскопия фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания квантовой ямыстатья
- Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
- Сборник: Сборник материалов 1 Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для энергетики"
- Год издания: 2011
- Место издания: НИЯУ МИФИ, Москва
- Первая страница: 85
- Последняя страница: 93
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич