Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Scopus (1 января 1970 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
1994
LOW-TEMPERATURE SWITCHING IN PBTE-GA UNDER PRESSURE
AKIMOV BA
,
ALBUL AV
,
BOGDANOV EV
,
ILIN VY
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 2, с. 140-142
1994
LUMINESCENCE OF GAAS/ALXGA1-XAS MULTIPLE-QUANTUM WELLS IN STRUCTURES FOR IR DETECTORS
Vardanyan B.R.,
Rezvanov R.R.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 2, с. 155-159
1994
PHOTOCONDUCTIVITY OF MNIN2S4 SINGLE-CRYSTALS
Niftiev N.N., Rustamov A.G.,
Tagiev O.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 5, с. 442-443
1994
PROFILE OF IMPURITY LUMINESCENCE BANDS AND PHONON PLASMON MIXING
Vavilov V.S.
,
Klyukanov A.A.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 12, с. 1178-1182
1993
ELECTRICAL-PROPERTIES OF LAYERED MNGAINS4 SINGLE-CRYSTALS
Niftiev N.N., Rustamov A.G.,
Tagiev O.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 3, с. 215-217
1993
INFLUENCE OF DOPING ON THE PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H
KAZANSKII A.G.
, SHAMONINA E.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 10, с. 932-934
1993
INFLUENCE OF DOPING WITH GALLIUM ON THE PROPERTIES OF PB1-XGEXTE SOLID-SOLUTIONS
AKIMOV BA
,
ALBUL AV
,
IVANCHIK II
,
RYABOVA LI
,
SLYNKO EI
,
KHOKHLOV DR
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 2, с. 194-196
1993
INFLUENCE OF THE DOPANT CONCENTRATION AND TEMPERATURE ON THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN PHOSPHORUS-DOPED A-SI-H FILMS
KAZANSKII A.G.
, YARKIN D.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 10, с. 935-937
1993
Influence of intercalation of Li and Ba on the electrical properties of InSe
Kul’bachinskii V.A.
,
Kovalyuk M.Z.
,
Pyrlya M.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 4, с. 374-376
1993
MAGNETIC-SUSCEPTIBILITY OF PB1-XMNXTE SOLID-SOLUTIONS
LASHKAREV GV
,
BRODOVOI AV
,
MIRETS AL
,
ZLOMANOV VP
, MALEVANNAYA OI
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 6, с. 581-582
1993
NATURE OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 10, с. 942-945
1993
RECOMBINATION VIA DANGLING-BOND COMPLEXES IN AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN IP
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 11, с. 1023-1025
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>