Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2005
A New Type of High-Efficiency Bifacial Silicon Solar Cell with External Busbars and a Current-Collecting Wire Grid
Untila G.G.
,
Kost T.N.
,
Chebotareva A.B.
,
Zaks M.B.
,
Sitnikov A.M.
,
Solodukha O.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 11, с. 1346-1351
2005
Cyclotron resonance in doped and undoped InAs/AlSb heterostructures with quantum wells
Aleshkin V.Y.
,
Gavrilenko V.I.
,
Ikonnikov A.V.
,
Sadofyev Y.G.
, Bird J.P., Johnson S.R., Zhang Y.H.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 1, с. 62-66
DOI
2005
EFFECT OF THE INITIAL DOPING LEVEL ON CHANGES IN THE FREE-CARRIER CONCENTRATION IN POROUS SILICON DURING AMMONIA ADSORPTION
Pavlikov A.V.
, Osminkina L.A.,
Belogorokhov I.A.
,
Konstantinova E.A.
, Efimova A.I.,
Timoshenko V.Yu
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 11, с. 1338-1341
2005
Effect of the initial doping level on changes in the free-carrier concentration in porous silicon during ammonia adsorption
Pavlikov A.V.
,
Osminkina L.A.
,
Belogorokhov I.A.
,
Konstantinova E.A.
,
Efimova A.I.
,
Timoshenko V.Y.
, Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 11, с. 1338-1341
DOI
2005
INFLUENCE OF PYRIDINE MOLECULE ADSORPTION ON CONCENTRATIONS OF FREE CARRIERS AND PARAMAGNETIC CENTERS IN POROUS SILICON LAYERS
Osminkina L.A., Vorontsov A.S.,
Konstantinova E.A.
,
Timoshenko V.Yu
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 4, с. 458-461
2005
Influence of pyridine molecule adsorption on concentrations of free carriers and paramagnetic centers in porous silicon layers
Osminkina L.A.
,
Vorontsov A.S.
,
Konstantinova E.A.
,
Timoshenko V.Y.
, Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 4, с. 458-461
DOI
2005
Luminescence and electrical conductivity of polyamide acid and its metal-polymer complexes with La and Tb
Lebedev E.A.
,
Goikhman M.Y.
,
Zhigunov D.M.
,
Podeshvo I.V.
,
Kudryavtsev V.V.
,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 11, с. 1333-1337
DOI
2005
Photoinduced Relaxation of Metastable States in a-Si:H(B)
Ormont N.N.
,
Kurova I.A.
,
Prokof'ev G.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 8, с. 924-927
2005
Photoreflection studies of the dopant activation in InP implanted with Be(+) ions
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 2, с. 174-176
DOI
2005
Properties of structures based on laser-plasma Mn-doped GaAs and grown by MOC-hydride epitaxy
Vasil'eva Y.V.
,
Danilov Y.A.
,
Ershov A.A.
,
Zvonkov B.N.
,
Uskova E.A.
,
Davydov A.B.
,
Aronzon B.A.
,
Gudenko S.V.
,
Ryl'kov V.V.
,
Granovsky A.B.
,
Gan'shina E.A.
,
Perov N.S.
,
Vinogradov A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 1, с. 77-81
DOI
2005
Specific features of photoluminescence of InAs/GaAs QD structures at different pumping levels
Kulbachinskii V.A.
,
Rogozin V.A.
,
Lunin R.A.
,
Belov A.A.
,
Karuzskii A.L.
,
Perestoronin A.V.
,
Zdoroveishchev A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 11, с. 1308-1312
DOI
2005
Spectra of persistent photoconductivity in InAs/AlSb quantum-well heterostructures
Aleshkin V.Y.
,
Gavrilenko V.I.
,
Gaponova D.M.
,
Ikonnikov A.V.
,
Marem’yanin K.V.
,
Morozov S.V.
,
Sadofyev Y.G.
, Johnson S.R., Zhang Y.H.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 1, с. 22-26
DOI
2005
THE ROLE OF BORON IMPURITY IN THE ACTIVATION OF FREE CHARGE CARRIERS IN LAYERS OF POROUS SILICON DURING THE ADSORPTION OF ACCEPTOR MOLECULES
Osminkina L.A.,
Konstantinova E.A.
,
Sharov K.S.
,
Kashkarov P.K.
,
Timoshenko V.Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 3, с. 347-350
2005
The density of states in the mobility gap of amorphous hydrogenated silicon doped with erbium
Biryukov A.V.,
Kazanskii A.G.
, Terukov E.I., Khabarova K.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 3, с. 351-353
DOI
2005
The role of boron impurity in the activation of free charge carriers in layers of porous silicon during the adsorption of acceptor molecules
Osminkina L.A.
,
Konstantinova E.A.
,
Sharov K.S.
, Kashkarov P.K.,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 3, с. 347-350
DOI
2004
Current-voltage characteristics of MnIn2S4 and MnGa2S4 single crystals
Niftiev N.N.
,
Tagiev O.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 2, с. 161-162
2004
Distribution of the density of electronic states in the energy gap of microcrystalline hydrogenated silicon
Kazanskii A.G.
, Khabarova K.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 10, с. 1221-1224
DOI
2004
Effect of adsorption of the donor and acceptor molecules at the surface of porous silicon on the recombination properties of silicon nanocrystals
Konstantinova E.A.
,
Ryabchikov Y.V.
,
Osminkina L.A.
,
Vorontsov A.S.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 11, с. 1344-1349
DOI
2004
Electrical properties of MnIn2Se4
Niftiev N.N., Alidzhanov M.A.,
Tagiev O.B.
, Mamedov F.M., Muradov M.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 5, с. 531-532
2004
Electron magnetotransport in coupled quantum wells with double-sided doping
Galiev G.B.
, Kaminskii V.E.,
Vasil'evskii I.S.
,
Kul'bachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 11, с. 1326-1331
DOI
2004
Electronic and structural transitions in Pb1-xGexTe : Ga alloys under pressure
Skipetrov E.P.
,
Zvereva E.A.
,
Volkova O.S.
,
Golubev A.V.
,
Mollaev A.Y.
,
Arslanov R.K.
,
Slyn'ko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 10, с. 1164-1167
DOI
2004
Fermi level pinning and negative magnetoresistance in PbTe :(Mn, Cr)
Morozov A.V.,
Kozhanov A.E.
,
Artamkin A.I.
,
Slyn'ko E.I.
,
Slyn'ko V.E.
,
Dobrovolski W.D.
,
Story T.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 1, с. 27-30
DOI
2004
Genesis of nanoscale defects and damage in GaAs subjected to multipulse quasi-static photostrains in micrometer-sized regions of semiconductor
Vintsents S.V.
,
Zaitseva A.V.
,
Zaitsev V.B.
,
Plotnikov G.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 3, с. 245-252
2004
Green luminescence band of zinc oxide films copper-doped by thermal diffusion
Alivov Y.I.
,
Chukichev M.V.
,
Nikitenko V.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 1, с. 31-35
2004
INTERACTION OF INFRARED RADIATION WITH FREE CARRIERS IN MESOPOROUS SILICON
Osminkina L.A., Kurepina E.V.,
Pavlikov A.V.
, Timoshenko V.Yu,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 5, с. 581-587
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>