Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2018
Analysis of the Structure and Conductivity of Kinked Carbon Chains Obtained by Pulsed Plasma Deposition on Various Metal Substrates
Ivanenko I.P.
,
Krasnoshchekov S.V.
,
Pavlikov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 7, с. 907-913
DOI
2018
Contribution of iron clusters to the magnetic properties of Pb1–yFeyTe alloys
Skipetrov E.P.
,
Solovev A.A.
,
Slynko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 6, с. 686-691
DOI
2018
Density Control of InP/GaInP Quantum Dots Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
Lebedev D.V.
,
Kalyuzhnyy N.A.
,
Mintairov S.A.
,
Belyaev K.G.
,
Rakhlin M.V.
, Toropov A.A.,
Brunkov P.
, Vlasov A.S.,
Merz J.
,
Rouvimov S.
,
Oktyabrsky S.
,
Yakimov M.
, Mukhin I.V.,
Shelaev A.V.
, Bykov V.A., Romanova A.Yu,
Buryak P.A.
,
Mintairov A.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 4, с. 497-501
DOI
2018
Dependence of Mechanical Stresses in Silicon Nitride Films on the Mode of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
Novak A.V.
,
Novak V.R.
,
Dedkova A.A.
,
Gusev E.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 15, с. 1953-1957
DOI
2018
Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells
Rumyantsev V.V.
, Kulikov N.S.,
Kadykov A.M.
,
Fadeev M.A.
,
Ikonnikov A.V.
,
Kazakov A.S.
,
Zholudev M.S.
,
Aleshkin V.Ya
,
Utochkin V.V.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretskii S.A.
,
Morozov S.V.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 11, с. 1376-1380
DOI
2018
Electrical Properties of Indium-Oxide Thin Films Produced by Plasma-Enhanced Reactive Thermal Evaporation
Ilin A.S.
,
Matsukatova A.N.
,
Forsh P.A.
,
Vygranenko Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 12, с. 1638-1641
DOI
2018
Field Characteristics of Spin-Torque Diode Sensitivity in the Presence of a Bias Current
Popkov A.F.
,
Kulagin N.E.
,
Demin G.D.
,
Zvezdin K.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 15, с. 1909-1914
2018
Frequency Dependence of the Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition to the Fixed-Range Hopping Regime
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 2, с. 150-155
DOI
2018
GaAs Wurtzite Nanowires for Hybrid Piezoelectric Solar Cells
Alekseev P.A., Sharov V.A.,
Geydt P.
,
Dunaevskiy M.S.
, Soshnikov I.P.,
Reznik R.R.
,
Lysak V.V.
,
Lahderanta E.
,
Cirlin G.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 5, с. 609-611
DOI
2018
Kinetics of the variation in the magnetic impurity ion concentration in Pb1−x−ySnxVyTe alloys upon doping
Skipetrov E.P.
,
Konstantinov N.S.
,
Skipetrova L.A.
,
Knotko A.V.
,
Slynko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 7, с. 828-835
DOI
2018
Low Threshold Lasing in InP/GaInP Quantum Dot Microdisks
Lebedev D.V.
, Vlasov A.S., Kulagina M.M.,
Troshkov S.I.
,
Guseva Yu A.
,
Pelucchi E.
,
Gocalinska A.
,
Juska G.
, Romanova A.Yu,
Buriak P.A.
, Smirnov V.I.,
Shelaev A.V.
, Bykov V.A.,
Mintairov A.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 14, с. 1894-1897
DOI
2018
Luminescence Spectra of High-Power Violet and Ultraviolet Gallium Nitride-Based LEDs
Volkov V.V.
,
Kogan L.M.
,
Turkin A.N.
,
Yunovich A.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 10, с. 1293-1297
DOI
2018
Magnetooptics of HgTe/CdTe Quantum Wells with Giant Rashba Splitting in Magnetic Fields up to 34 T
Bovkun L.S.
,
Maremyanin K.V.
,
Ikonnikov A.V.
,
Spirin K.E.
,
Aleshkin V.Ya
,
Potemski M.
,
Piot B.
,
Orlita M.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretskii S.A.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 11, с. 1387-1392
DOI
2018
Modification of Photoconductivity Spectra in ZnO-CdSe Quantum- Dot Composites upon Exposure to Additional Photoexcitation
Drozdov K.A.
,
Krylov I.V.
,
Chizhov A.S.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 7, с. 902-906
DOI
2018
Modification of the Ferromagnetic Properties of Si1 –xMnx Thin Films Synthesized by Pulsed Laser Deposition with a Variation in the Buffer-Gas Pressure
Novodvorsky O.A.
,
Mikhalevsky V.A.
, Gusev D.S.,
Lotin A.A.
,
Parshina L.S.
,
Khramova O.D.
,
Cherebylo E.A.
,
Drovosekov A.B.
,
Rylkov V.V.
,
Nikolaev S.N.
,
Chernoglazov K.Yu
,
Maslakov K.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 11, с. 1424-1427
DOI
2018
Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Bazalevskii M.A.
,
Deev P.M.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 7, с. 849-852
DOI
2018
Resonant and Nonresonant Nonlinear Absorption in Colloidal Core/Shell Semiconductor Nanoplatelets
Smirnov A.M.
,
Golinskaya A.D.
,
Przhiyalkovskii D.V.
,
Kozlova M.V.
,
Saidzhonov B.M.
,
Vasiliev R.B.
,
Dneprovskii V.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 14, с. 1798-1800
DOI
2018
Solid-Phase Reactions and Phase Transformations in a Nanoscale Bismuth/Selenium Film Structure
Kogai V.Ya
,
Mikheev G.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 8, с. 957-960
DOI
2018
Study of the Structural and Luminescence Properties of InAs/GaAs Heterostructures with Bi-Doped Potential Barriers
Pashchenko A.S., Lunin L.S.,
Chebotarev S.N.
, Lunina M.L.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 6, с. 729-733
DOI
2018
THz Stimulated Emission from Simple Superlattice in Positive Differential Conductivity Region
Andronov A.A.,
Ikonnikov A.V.
,
Maremianin K.V.
,
Pozdnjakova V.I.
,
Nozdrin Y.N.
, Marmalyuk A.A.,
Padalitsa A.A.
, Ladugin M.A., Belyakov V.A., Ladenkov I.V.,
Fefelov A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 4, с. 431-435
DOI
2018
Terahertz Injection Lasers Based on a PbSnSe Solid Solution with an Emission Wavelength up to 50 μm and Their Application in the Magnetospectroscopy of Semiconductors
Maremyanin K.V.
,
Ikonnikov A.V.
,
Bovkun L.S.
,
Rumyantsev V.V.
,
Chizhevskii E.G.
,
Zasavitskii I.I.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 12, с. 1590-1594
DOI
2018
Transverse Magneto-Optical Kerr Effect in Magnetite Covered by Array of Gold Nanostripes
Dyakov S.A.
,
Spitzer F.
,
Akimov I.
,
Yavsin D.A.
, Pavlov S.I.,
Verbin S.Y.
,
Tikhodeev S.G.
,
Gippius N.A.
,
Pevtsov A.B.
,
Bayer M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 14, с. 1857-1860
2017
Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential
Bovkun L.S.
,
Ikonnikov A.V.
,
Aleshkin V.Ya
,
Krishtopenko S.S.
,
Antonov A.V.
,
Spirin K.E.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretsky S.A.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 12, с. 1562-1570
DOI
2017
Characteristics of the Schottky barriers of two-terminal thin-film Al/nano-Si film/ITO structures
Kononov N.N.
,
Dorofeev S.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 5, с. 608-616
DOI
2017
Criterion for strong localization on a semiconductor surface in the Thomas?Fermi approximation
Bondarenko V.B.,
Filimonov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 10, с. 1321-1325
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>