Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2016
Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 μm
Akimov A.N., Klimov A.E.,
Morozov S.V.
, Suprun S.P., Epov V.S.,
Ikonnikov A.V.
, Fadeev M.A.,
Rumyantsev V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 12, с. 1684-1690
DOI
2016
Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride
Korolev D.S.
,
Mikhaylov A.N.
,
Belov A.I.
,
Vasiliev V.K.
,
Guseinov D.V.
,
Okulich E.V.
,
Shemukhin A.A.
,
Surodin S.I.
,
Nikolitchev D.E.
,
Nezhdanov A.V.
,
Pirogov A.V.
,
Pavlov D.A.
,
Tetelbaum D.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 2, с. 271-275
DOI
2016
Light-emitting nanocomposites on the basis of ZnS: Cu deposited into porous anodic Al2O3 matrices
Valeev R.G.
,
Petukhov D.I.
,
Chukavin A.I.
,
Beltiukov A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 2, с. 266-270
DOI
2016
Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells
Bovkun L.S.
,
Krishtopenko S.S.
,
Ikonnikov A.V.
,
Aleshkin V.Y.
,
Kadykov A.M.
,
Ruffenach S.
,
Consejo C.
,
Teppe F.
,
Knap W.
,
Orlita M.
, Piot B.,
Potemski M.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretskii S.A.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 11, с. 1532-1538
DOI
2016
Nonlinear optical response of planar and spherical CdSe nanocrystals
Selyukov A.S.
,
Isaev A.A.
,
Vitukhnovsky A.G.
,
Litvak V.L.
,
Katsaba A.V.
,
Korshunov V.M.
,
Vasiliev R.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 7, с. 947-950
DOI
2016
Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon
Pashchenko A.S.,
Chebotarev S.N.
, Lunin L.S., Irkha V.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 4, с. 545-548
DOI
2016
Study of the correlation properties of the surface structure of nc-Si/a-Si:H films with different fractions of the crystalline phase
Alpatov A.V., Vikhrov S.P.,
Kazanskii A.G.
, Lyaskovskii V.L., Rybin N.B., Rybina N.V., Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 5, с. 590-595
2016
Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure
Vasilyev Y.B.
,
Mikhailov N.N.
, Vasilyeva G.Y., Ivanov Y.L., Zakhar’in A.O., Andrianov A.V., Vorobiev L.E., Firsov D.A., Grigoriev M.N.,
Antonov A.V.
,
Ikonnikov A.V.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 7, с. 915-919
DOI
2016
Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 $\upmu$m
Maremyanin K.V.
,
Rumyantsev V.V.
,
Ikonnikov A.V.
,
Bovkun L.S.
,
Chizhevskii E.G.
,
Zasavitskii I.I.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 12, с. 1669-1672
DOI
2016
UV and IR Emission Intensity in ZnO Films, Nanorods, and Bulk Single Crystals Doped with Er and Additionally Introduced Impurities
Mezdrogina M.M.
,
Vinogradov A.Ya
,
Kuzmin R.V.
,
Levitski V.S.
,
Kozanova Yu V.
,
Lyanguzov N.V.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 10, с. 1304-1311
DOI
2016
Voltage oscillations in the case of the switching effect in thin layers of Ge-Sb-Te chalcogenides in the current mode
Fefelov S.A.
,
Kazakova L.P.
,
Arsova D.
,
Kozyukhin S.A.
, Tsendin K.D., Prikhodko O.Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 7, с. 941-946
DOI
2015
Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Galiev G.B.
,
Kazakov I.P.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 9, с. 1202-1206
DOI
2015
Crossover between transport mechanisms in the region of the transition from sublinearity to superlinearity of the AC-conductivity frequency dependence for disordered semiconductors
Ormont M.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 10, с. 1270-1275
DOI
2015
Density of surface states in colloidal CdSe nanoplatelets
Katsaba A.V.
,
Fedyanin V.V.
,
Ambrozevich S.A.
,
Vitukhnovsky A.G.
,
Sokolikova M.S.
,
Vasiliev R.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 10, с. 1323-1326
DOI
2015
Emission spectra of a laser based on an In(Ga)As/GaAs quantum-dot superlattice
Sobolev MM
, Buyalo MS, Nevedomskiy VN, Zolotareva, RV, Zadiranov Yu. M., Ustinov VM, Portnoi EL, Vasil’ev A.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 10, с. 1335-1340
DOI
2015
Exchange Enhancement of the Electron g-Factor in a Two-Dimensional Semimetal in HgTe Quantum Wells
Bovkun L.S.
,
Krishtopenko S.S.
,
Zholudev M.S.
,
Ikonnikov A.V.
,
Spirin K.E.
,
Dvoretsky S.A.
,
Mikhailov N.N.
,
Teppe F.
,
Knap W.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 12, с. 1627-1633
DOI
2015
Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Maltsev P.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 2, с. 199-208
DOI
2015
Fast-response biological sensors based on single-layer carbon nanotubes modified with specific aptamers
Akhmadishina K.F.
,
Bobrinetskiy I.I.
, Komarov I.A.,
Malovichko A.M.
, Nevolin V.K., Fedorov G.E.,
Golovin A.V.
,
Zalevskiy A.O.
,
Aidarkhanov R.D.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 13, с. 1749-1753
DOI
2015
Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Pushkarev S.S.
,
Maltsev P.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 7, с. 921-929
DOI
2015
Investigation of Magnetoabsorption at Different Temperatures in HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures in Pulsed Magnetic Fields
Platonov V.V.
,
Kudasov Y.B.
, Makarov I.V., Maslov D.A., Surdin O.M.,
Zholudev M.S.
,
Ikonnikov A.V.
,
Gavrilenko V.I.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretsky S.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 12, с. 1611-1615
DOI
2015
Light-Induced Relaxation of the Metastable Conductivityof Undoped a-Si:H Films Illuminated at Elevated Temperatures
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 5, с. 590-592
DOI
2015
Long-Wavelength Injection Lasers Based on Pb1-xSnxSe Alloys and Their Use in Solid-State Spectroscopy
Maremyanin K.V.
,
Ikonnikov A.V.
,
Antonov A.V.
,
Rumyantsev V.V.
,
Morozov S.V.
,
Bovkun L.S.
,
Umbetalieva K.R.
,
Chizhevskiy E.G.
,
Zasavitskiy I.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 12, с. 1623-1626
DOI
2015
Luminescence-Kinetic Spectroscopy of Compound Complexes of Polyphenylquinolines
Aleksandrova E.L.
,
Svetlichnyi V.M.
, Matyushina N.V.,
Myagkova L.A.
,
Daineko S.V.
, Martynov I.L.,
Tameev A.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 7, с. 959-961
DOI
2015
On a chaotic potential at the surface of a compensated semiconductor under conditions of the self-assembly of electrically active defects
Bondarenko V.B.,
Filimonov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 9, с. 1187-1190
2015
Optical properties of ion-doped ZnO(Se) layers in the context of band anticrossing theory
Morozova N.K., Galstyan V.G.,
Volkov A.O.
,
Mashchenko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 9, с. 1134-1139
DOI
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>