Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2015
Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays
Sibirmovskii Y.D.
,
Vasil’evskii I.S.
, Vinichenko A.N., Eremin I.S.,
Zhigunov D.M.
,
Kargin N.I.
,
Kolentsova O.S.
,
Martyuk P.A.
,
Strikhanov M.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 5, с. 638-643
DOI
2015
Specific features of the frequency dependence of the conductivity of disordered semiconductors in the region of the crossover between transport mechanisms
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 4, с. 437-441
DOI
2015
Spin-transfer torque and specific features of magnetic-state switching in vacuum tunnel nanostructures
Demin G.D.
,
Popkov A.F.
,
Dyuzhev N.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 13, с. 1679-1683
2015
Structural and photoluminescent properties of nanowires formed by the metal-assisted chemical etching of monocrystalline silicon with different doping level
Georgobiani V.A.
,
Gonchar K.A.
,
Osminkina L.A.
,
Timoshenko V.Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 8, с. 1025-1029
DOI
2015
The Shubnikov–de Haas Effect and Thermoelectric Properties of Tl-Doped Sb2Te3 and Bi2Se3
Kulbachinskii V.A.
,
Kudryashov A.A.
,
Kytin V.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 6, с. 767-773
2014
Absorption spectra of TiO2 thin films synthesized by the reactive radio-frequency magnetron sputtering of titanium
Ievlev V.M.
,
Latyshev A.N.
,
Leonova L.Y.
,
Ovchinnikov O.V.
,
Smirnov M.S.
, Popova E.V.,
Kostyuchenko A.V.
,
Kushchev S.B.
,
Soldatenko S.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, с. 848-858
2014
Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiation
Shemukhin A.A.
,
Balakshin Y.V.
,
Chernysh V.S.
,
Golubkov S.A.
,
Egorov N.N.
,
Sidorov A.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 4, с. 517-520
DOI
2014
Effect of the tin impurity on the energy spectrum and photoelectric properties of nanostructured In2O3 films
Drozdov K.A.
,
Krylov I.V.
,
Irkhina A.A.
,
Vasiliev R.B.
,
Rumyantseva M.N.
,
Gaskov A.M.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 4, с. 451-454
DOI
2014
Features of the transformation of the exciton cathodoluminescence spectra of the CdSe epitaxial layers with increasing excitation level
Senokosov E.A.
,
Chukita V.I.
,
Odin I.N.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 2, с. 191-194
DOI
2014
Influence of GaAs spacer-layer thickness on quantum coupling and optical polarization in a ten-layer system of vertically correlated InAs/GaAs quantum dots
Sobolev
,
MM; Gadzhiyev
,
IM; Buyalo
,
MS; Nevedomskiy
, VN; Zadiranov,
YM; Zolotareva
,
RV; Vasil`ev
, AP; Ustinov, VM
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 8, с. 1031-1035
DOI
2014
Luminescence properties of thin nanocrystalline silicon-carbide films fabricated by direct-beam ion deposition
Mirgorodskiy I.V.
,
Golovan L.A.
,
Timoshenko V.Yu
, Semenov A.V.,
Puzikov V.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 6, с. 711-714
DOI
2014
Optical Properties of Nanowire Structures Produced by the Metal-Assisted Chemical Etching of Lightly Doped Silicon Crystal Wafers
Gonchar K.A.
,
Osminkina L.A.
, Sivakov V., Lysenko V.,
Timoshenko V.Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 12, с. 1613-1618
DOI
2014
Optimization of carrier mobility in luminescence layers based on europium β-diketonates in hybrid light-emitting structures
Bochkov M.A.,
Vitukhnovsky A.G.
,
Taidakov I.V.
,
Vashchenko A.A.
, Katsaba A.V.,
Ambrozevich S.A.
,
Brunkov P.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 3, с. 369-372
DOI
2014
Organic light-emitting devices with multi-shell quantum dots connected with polythiophene derivatives
Vashchenko A.A.
,
Vitukhnovsky A.G.
,
Taidakov I.V.
, Tananaev P.N.,
Vasnev V.A.
,
Rodlovskaya E.N.
,
Bychkovsky D.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 3, с. 377-380
DOI
2014
Properties of Zn1–xCoxO films produced by pulsed laser deposition with fast particle separation
Lotin A.A.
,
Novodvorsky O.A.
,
Rylkov V.V.
,
Zuev D.A.
,
Khramova O.D.
,
Pankov M.A.
,
Aronzon B.A.
,
Semisalova A.S.
,
Perov N.S.
,
Lashkul A.
,
Lahderanta E.
,
Panchenko V.Ya
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 4, с. 538-544
DOI
2014
Sensitization of the Photoelectric Effect in Carbazole- and Indolocarbazole-Containing Poly(Phenylquinoline)s by Benzothiadiazole Acceptor Molecules
Aleksandrova E.L.
,
Svetlichnyi V.M.
, Matyushina N.V.,
Myagkova L.A.
, Kudryavtsev V.V.,
Tameev A.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 11, с. 1481-1484
DOI
2014
Specific features of the sol-gel formation and optical properties of 3d metal/porous silicon composites
Lenshin A.S., Seredin P.V., Minakov D.A., Kashkarov V.M., Agapov B.L., Domashevskaya E.P., Kononova I.E., Moshnikov V.A.,
Terebova N.S.
,
Shabanova I.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, № 4, с. 551-555
DOI
2014
Synthesis of thin p-type rutile films
Ievlev V.M.
,
Kushev S.B.
,
Ovchinnikov O.V.
,
Sumez M.P.
,
Latyshev A.N.
,
Bezryadin M.N.
,
Leonova L.Y.
,
Kannykin S.V.
,
Vozgorkov A.M.
,
Smirnov M.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 48, с. 251-256
2013
Conductivity of nanocrystalline ZnO(Ga)
Vorobyeva N.A.
,
Rumyantseva M.N.
,
Forsh P.A.
,
Gaskov A.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 5, с. 650-654
DOI
2013
Copolymers of carbazole- and indolocarbazole-containing phenylquinolines as new materials for electroluminescent devices
Aleksandrova E.L.
,
Svetlichnyi V.M.
, Nekrasova T.N.,
Smyslov R.Y.
,
Myagkova L.A.
, Matyushina N.V.,
Tameev A.R.
, Pautov V.D., Kudryavtsev V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 8, с. 1058-1067
DOI
2013
Dependence of Raman scattering efficiency in silicon nanowire arrays on excitation wavelength
Bunkov K.V.
,
Golovan L.A.
,
Gonchar K.A.
,
Timoshenko V.Yu
,
Kashkarov P.K.
, Kulmas M.,
Sivakov V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 3, с. 354-357
DOI
2013
Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
Khabibullin RA
,
Galiev GB
,
Klimov EA
,
Ponomarev DS
,
Vasil'evskii IS
,
Kulbachinskii VA
,
Bokov PY
,
AVAKYANTS L.
,
Chervyakov AV
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 9, с. 1203-1208
DOI
2013
Influence of the fabrication conditions of polymorphous silicon films on their structural, electrical and optical properties
Khenkin M.V.
,
Emelyanov A.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
,
Kashkarov P.K.
, Terukov E.I.,
Orekhov D.L.
, Roca i.Cabarrocas P
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 9, с. 1271-1274
2013
Magnetoabsorption in Narrow-Gap HgCdTe Epitaxial Layers in the Terahertz Range
Ikonnikov A.V.
,
Zholudev M.S.
,
Gavrilenko V.I.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretskii S.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 12, с. 1545-1550
DOI
2013
Mechanism of Electronic-Excitation Transfer in Organic Light-Emitting Devices Based on Semiconductor Quantum Dots
Vitukhnovskii A.G.
,
Vashchenko A.A.
,
Lebedev V.S.
,
Vasiliev R.B.
,
Brunkov P.N.
,
Bychkovskii D.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 7, с. 971-977
DOI
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>