Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2002
Threshold of nelastic strain formation in Si and GaAs surface layers under multiple pulsed laser irradiation
Vintsents SV
,
Zoteev AV
,
Plotnikov GS
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 8, с. 841-844
2001
A NONCONTACT ELECTRON-PROBE METHOD FOR MEASURING THE DIFFUSION LENGTH AND THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
Rau E.I.
,
Zhu S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 6, с. 718
2001
EXAFS Studies of the Local Atomic Structure of Nanocrystalline GaAs
Valeev R.G.
,
Deev A.N.
,
Rutz Yu V.
,
Babanov Yu A.
,
Krylov P.N.
, Kobziev V.F.,
Lomaeva S.F.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 6, с. 627-629
2001
Effect of temperature on photoconductivity and its decay in microcrystalline silicon
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 8, с. 953-955
DOI
2001
Electrical and Photoelectric Properties of a-Si:H Layered Films: The Influence of Thermal Annealing
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Terukov E.I.
,
Trapeznikova I.N.
,
Afanas’ev V.P.
,
Gudovskikh A.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 3, с. 353-356
2001
Interface states and capacitance-voltage characteristics of n-SnO2 : Ni/p-Si heterostructures under gas-adsorption conditions
Vasil'ev R.B.
,
Gas'kov A.M.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
,
Akimov B.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 4, с. 424-426
DOI
2001
Magnetic properties of Pb1-xGexTe alloys doped with ytterbium
Skipetrov E.P.
,
Chernova N.A.
,
Skipetrova L.A.
,
Golubev A.V.
,
Slyn'ko E.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 11, с. 1249-1251
DOI
2001
Polycrystalline Films of Gallium Nitride Grown by Magnetron Sputtering
Blaut-Blachev A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 6, с. 688-689
DOI
2001
Specific features of photoconductivity in thin n-PbTe : Ga epilayers
Akimov B.A.,
Bogoyavlenskii V.A.
,
Ryabova L.I.
, Vasil'kov V.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 5, с. 502-505
DOI
2000
Absorption and photoconductivity of boron-compensated mu c-Si : H
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 3, с. 367-369
DOI
2000
Gallium-induced deep level in Pb(1-x)Ge(x)Tealloys
Skipetrov E.P.
,
Zvereva E.A.
,
Belousov V.V.
,
Skipetrova L.A.
,
Slyn'ko E.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 8, с. 894-896
DOI
2000
Instability of DX-like impurity centers in PbTe : Ga at annealing
Dolzhenko D.E.
,
Demin V.N.
,
Ivanchik I.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 10, с. 1144-1146
DOI
2000
Modification of optoelectronic properties of porous silicon produced in an electrolyte based on heavy water
Kamenev B.V.
,
Konstantinova E.A.
, Kashkarov P.K.,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 6, с. 728-731
DOI
2000
Optical bistability and instability in a semiconductor in the case where the relaxation time of free charge carriers and their equilibrium concentration are temperature-dependent
Bondarenko O.S.,
Lysak T.M.
,
Trofimov V.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 9, с. 1031-1044
DOI
2000
Properties of diode heterostructures based on nanocrystalline n-SnO2 on p-Si under the conditions of gas adsorption
Vasil'ev R.B.
,
Gas'kov A.M.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryzhikov A.S.
,
Ryabova L.I.
,
Akimov B.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 8, с. 955-959
DOI
2000
Special Features of Relaxation of Metastable States Induced Thermally and by Photoexcitation in (a-Si:H):P Films
Kurova I.A.
,
Larina É.V.
,
and Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 3, с. 358-362
2000
The In/PbTe barrier structures with a thin intermediate insulating layer
Aleksandrova O.A.
,
Akhmedzhanov A.T.
,
Bondokov R.T.
,
Moshnikov V.A.
,
Saunin I.V.
,
Tairov Y.M.
,
Shtanov V.I.
,
Yashina L.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 12, с. 1365-1369
2000
The influence of erbium on electrical and photoelectric properties of amorphous silicon produced by radio-frequency silane decomposition
Terukov E.I., Kazanin M.M., Kon'kov O.I., Kudoyarova V.K.,
Kougiya K.V.
, Nikulin Y.A.,
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 7, с. 829-834
DOI
2000
The influence of local surroundings of Er atoms on the kinetics of decay of Er photoluminescence in amorphous hydrogenated silicon
Terukov E.I.,
Kudoyarova V.K.
, Kon'kov O.I.,
Konstantinova E.A.
,
Kamenev B.V.
,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 1, с. 92-94
DOI
2000
Tunneling spectroscopy of impurity atoms in a single-crystal semiconductor matrix
Kartavykh A.V.
,
Maslova N.S.
,
Panov V.I.
, Rakov V.V.,
Savinov S.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 4, с. 381-385
1999
Comparative study of the optical properties of porous silicon and the oxides SiO and SiO2
Obraztsov A.N.
,
Timoshenko V.Y.
, Okushi H., Watanabe H.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 33, № 3, с. 323-326
DOI
1999
Conductivity of structures based on doped nanocrystalline SnO2 films with gold contacts
Akimov B.A.,
Gas'kov A.M.
,
Podguzova S.E.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
,
Labeau M.
, Tadeev A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 33, № 2, с. 175-176
DOI
1999
Photoluminescence and transport properties of multilayer InAs/GaAs structures with quantum dots
Kul'bachinskii V.A.
,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
, Golikov A.V., Malkina I.G., Zvonkov B.N., Saf'yanov Y.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 33, № 3, с. 318-322
1999
Thermally stimulated currents and instabilities of the photoresponse in PbTe(In) alloys at low temperatures
Akimov B.A.,
Bogoyavlenskii V.A.
,
Ryabova L.I.
, Vasil'kov V.N.,
Slyn'ko E.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 33, № 1, с. 6-9
DOI
1999
Transport and optical properties of tin delta-doped GaAs structures
Kul'bachinskii V.A.
,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
,
Mokerov V.G.
,
Senichkin A.P.
,
Bugaev A.S.
,
Karuzskii A.L.
,
Perestoronin A.V.
,
van Schaijk R.T.F
,
de Visser A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 33, № 7, с. 771-778
DOI
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>