ИСТИНА

Галиев Г.Б.

Соавторы: Кульбачинский В.А., Васильевский И.С., Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Klimov E.A., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Oveshnikov L.N., Климов Е.А., Mokerov V.G., Пушкарев С.С., Derkach A.V., Kaminskiǐ V.É. показать полностью..., Овешников Л.Н., Khabibullin R.A., Rogozin V.A., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Гладков В.П., Климов Е.А., Кытин В.Г., Червяков А.В., Klochkov A., Maltsev P.P., Глазков В.П., Имамов Р.М., Климов Е.А., Климов Е.А., Клочков А., Матвеев Ю.А., Сорокоумова А.В., Gurin P.V., Oiwa A., Tarucha S., Бугаев А.С., Васильев А.Л., Казаков И.П., Каргин Н.И., Китаева Г.Х., Ковальчук М.В., Кузнецов К.А., Леонтьев А.А., Лялин И.И., Мальцев П.П., Пушкарев С.В., Роддатис В.В., Сеничкин А.П., Стриханов М.Н., Субботин И.А.

21 статья, 1 книга, 11 докладов на конференциях, 20 тезисов докладов, 1 НИР

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 63, Scopus: 79

IstinaResearcherID (IRID): 532491

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2020 Improved InGaAs and InGaAs/InAlAs Photoconductive Antennas Based on (111)-Oriented Substrates
    • Kirill Kuznetsov, Aleksey Klochkov, Andrey Leontyev, Evgeniy Klimov, Sergey Pushkarev, Galib Galiev, Galiya Kitaeva
    • в журнале ELECTRONICS, том 9, № 3, с. 495-505 DOI
  • 
    • 2015 Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 2, с. 199-208 DOI
  • 
    • 2015 Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 7, с. 921-929 DOI
  • 
    • 2015 Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Казаков И.П., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 49, № 9, с. 1238-1242
  • 
    • 2014 Shubnikov de_Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 568, с. 052013-1-052013-5 DOI
  • 
    • 2013 Electron mobilities in isomorphic In0.53Ga0.47As quantum wells on InP substrates
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 116, № 5, с. 755-759 DOI
  • 
    • 2013 Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structures
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 7, с. 935-942 DOI
  • • 2013 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    • Хабибуллин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
  • 
    • 2012 Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
    • Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490 DOI
  • • 2012 Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
  • • 2012 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
  • 
    • 2011 Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
  • • 2011 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
  • • 2011 Структурные и электрофизические свойства квантовых ям с наноразмерными вставками InAs в гетероструктурах на основе InyAl1-yAs/InxGa1-xAs на подложках InP
    • Васильев А.Л., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Климов Е.А., Ковальчук М.В., Пономарев Д.С., Роддатис В.В., Субботин И.А.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 56, № 2, с. 324-335
  • 
    • 2004 Electron magnetotransport in coupled quantum wells with double-sided doping
    • Galiev G.B., Kaminskii V.E., Vasil'evskii I.S., Kul'bachinskii V.A., Lunin R.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 38, № 11, с. 1326-1331 DOI
  • 
    • 2003 Electron transport in coupled quantum wells with double-sided doping
    • Galiev G.B., Kaminskii V.E., Mokerov V.G., Kul'bachinskii V.A., Lunin R.A., Vasil'evskii I.S., Derkach A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 37, № 6, с. 686-691 DOI
  • 
    • 2003 Peculiarities of conductivity in structures delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate
    • Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasil'evskii I.S.
    • в журнале Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 17, № 1-4, с. 172-173 DOI

• Статьи в сборниках

  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod, место издания Nizhny Novgorod, с. 199-200
  • 
    • 2003 Electron properties of delta-doped by Si on vicinal (111)A and (111)B surface GaAs structures
    • Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Kaminskii V.E., Rogozin V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Derkach A.V.
    • в сборнике 11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 316-318
  • • 2003 Peculiarities of electron transport in the coupled AlGaAs/GaAs quantum wells with thin central barrier
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G., Kaminskii V.E.
    • в сборнике 11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings, место издания Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia St. Petersburg, с. 402-403
  • • 2003 Quasi-1D channels in Si delta-doped GaAs grown on vicinal (111)A GaAs substrate
    • Rogozin V.A., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Derkach A.V., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G.
    • в сборнике "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures", Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003, (ed. V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin), Minsk, Belarus, 20-23 May, место издания World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd Singapore, с. 503-506

• Книги

  • • 2010 Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
    • Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Сеничкин А.П., Бугаев А.С., Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Васильевский И.С.
    • место издания Техносфера Москва, ISBN 978-5-94836-255-7, 432 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2015 Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале (Устный)
    • Авторы: Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Пушкарев С.С., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Лунин Р.А.
    • XII Российская конференция по физике полупроводников, Москва, Ершово, Россия, 20-25 сентября 2015
  • • 2014 Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
    • Авторы: Bokov P., Avalyants L., Chervyakov A., Vasilevskii I., Klimov E., Lyalin I., Galiev G.
    • 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
  • • 2014 SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Klimov E.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Lunin R.A.
    • 27th International Conference on Low Temperature Physics, Argentina, Buenos Aires, Аргентина, 2014
  • • 2014 Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
    • Авторы: Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Галиев Г.Б.
    • 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва, НИЯУ-МИФИ, Россия, 2014
  • • 2014 Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
    • Авторы: Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б., Юзеева Н.А., Климов Е.А.
    • XII Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, Россия, 28-31 октября 2014
  • • 2014 Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
    • Авторы: Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Пушкарев С.С.
    • XII Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, Россия, 28-31 октября 2014
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP (Устный)
    • Авторы: Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Овешников Л.Н.
    • НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013, Москва, Россия, 1-6 февраля 2013
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Klimov E.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Lunin R.A.
    • International Conference on Nanoscience and Technology, Paris, 2012
  • • 2012 Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
    • Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю.
    • 2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Россия, 2012
  • • 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
    • Авторы: Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
    • 36-е Совещание по физике низких температур, Санкт-Петербург, Россия, Россия, 2012
  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Klimov E.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Yuzeeva N.A.
    • 20th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” NNovgorod, Нижний Новгород, Россия, 26 июня - 1 июля 2012

• Тезисы докладов

  • • 2015 Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале
    • Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С.
    • в сборнике Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2015», место издания Ершово, тезисы, с. 262
  • • 2015 Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In
    • Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике XXXVII Совещание по физике низких температур, место издания Издательство Казанского университета Казань, тезисы, с. 219
  • • 2014 Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
    • Bokov P., Avalyants L., Chervyakov A., Galiev G., Klimov E., Lyalin I., Vasilevskii I.
    • в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
  • 
    • 2014 SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в сборнике 27th International Conference on Low Temperature Physics, Buenos Aires, Argentina, Abstracts book, место издания Buenos Aires, Argentina, тезисы, с. 38-38
  • • 2014 Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
    • Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», тезисы докладов, тезисы, с. 52-53
  • • 2014 Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
    • Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Климов Е.А., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике XII Курчатовская молодежная научная школа, место издания НИЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 87-87
  • • 2014 Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
    • Овешников Л.Н., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике XII Курчатовская молодежная научная школа, место издания НИЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 79-79
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
    • Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 183
    • редакторы Богданович Б.Ю., Голотюк Олег Николаевич, Диденко Андрей Николаевич, Стриханов М.Н.
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Book of abstracts of International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T 2012), место издания Paris, France, тезисы, с. 73
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 202-202
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2012 Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., КульбачинскийВ А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 205
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
    • в сборнике Тезисы докладов 36 Совещания по физики низких температур, 2-6 июля 2012 г., С. Петербург, место издания С. Петербург, тезисы, с. 184-185
  • • 2011 Встроенное электрическое поле в приповерхностных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ IX Курчатовской молодежной научной школы, место издания Москва, тезисы, с. 136
  • • 2011 Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 124
  • • 2010 Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
  • • 2010 Электронный транспорт в модулированно-легированных квантовых ямах и слоях InAs на основе метаморфных наногетероструктур
    • Пушкарев С.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 26-29
  • • 2009 Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Матвеев Ю.А., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Гладков В.П., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 215
  • • 2009 Особенности электронного транспорта в комбинированно-легированных квантовых ямах Al0.35Ga0.65As/InGaAs/Al0.35Ga0.65As с высокой концентрацией электронов Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Матвеев Ю.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 10-12
  • • 2008 Low Temperature Electron Magnetotransport in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As Quantum wells with high electron density
    • Vasil'evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Mokerov V.G., Galiev G.B., Tarucha S., Oiwa A.
    • в сборнике LT25 - 25th International Conference on Low Temperature Physics, August 6-13, 2008 Amsterdam, Netherlands, p.266-267, место издания Amsterdam, Netherlands, тезисы, с. 266-267
  • • 2003 Подвижность электронов в связанных квантовых ямах AlGaAs/GaAs, разделенных барьером AlAs
    • Лунин Р.А., Кульбачинский В.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Гурин П.В.
    • в сборнике Тезисы докладов, XXXIII Совещание по физике низких температур, Секция N "Наноструктуры и низкоразмерные системы", Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 298-299

• НИРы

  • • 1 января 2016 - 31 декабря 2017 Эпитаксиальные низкотемпературные наногетероструктуры InGaAs и InGaAs/InAlAs со сверхмалым временем жизни фотовозбуждённых носителей заряда для фотопроводящих антенн
    • Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии науки
    • Руководитель: Галиев Г.Б. Участники НИР: Китаева Г.Х., Климов Е.А., Клочков А.Н., Корниенко В.В., Кузнецов К.А., Пушкарев С.С.