Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Галиев Г.Б.
Соавторы:
Кульбачинский В.А.
,
Васильевский И.С.
,
Юзеева Н.А.
,
Лунин Р.А.
,
Klimov E.A.
,
Пономарев Д.С.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Oveshnikov L.N.
,
Климов Е.А.
,
Mokerov V.G.
,
Пушкарев С.С.
,
Derkach A.V.
,
Kaminskiǐ V.É.
показать полностью...
,
Овешников Л.Н.
,
Khabibullin R.A.
,
Rogozin V.A.
,
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Гладков В.П.
,
Климов Е.А.
,
Кытин В.Г.
,
Червяков А.В.
,
Klochkov A.
,
Maltsev P.P.
,
Глазков В.П.
,
Имамов Р.М.
,
Климов Е.А.
,
Климов Е.А.
,
Клочков А.
,
Матвеев Ю.А.
,
Сорокоумова А.В.
,
Gurin P.V.
,
Oiwa A.
,
Tarucha S.
,
Бугаев А.С.
,
Васильев А.Л.
,
Казаков И.П.
,
Каргин Н.И.
,
Китаева Г.Х.
,
Ковальчук М.В.
,
Кузнецов К.А.
,
Леонтьев А.А.
,
Лялин И.И.
,
Мальцев П.П.
,
Пушкарев С.В.
,
Роддатис В.В.
,
Сеничкин А.П.
,
Стриханов М.Н.
,
Субботин И.А.
21 статья
,
1 книга
,
11 докладов на конференциях
,
20 тезисов докладов
,
1 НИР
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 63, Scopus: 79
IstinaResearcherID (IRID): 532491
Деятельность
Статьи в журналах
2020
Improved InGaAs and InGaAs/InAlAs Photoconductive Antennas Based on (111)-Oriented Substrates
Kirill Kuznetsov
,
Aleksey Klochkov
,
Andrey Leontyev
, Evgeniy Klimov,
Sergey Pushkarev
,
Galib Galiev
,
Galiya Kitaeva
в журнале
ELECTRONICS
, том 9, № 3, с. 495-505
DOI
2015
Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Maltsev P.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 2, с. 199-208
DOI
2015
Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Pushkarev S.S.
,
Maltsev P.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 7, с. 921-929
DOI
2015
Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Галиев Г.Б.
,
Казаков И.П.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 49, № 9, с. 1238-1242
2014
Shubnikov de_Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrate
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
в журнале
Journal of Physics: Conference Series
, издательство
IOP Publishing
([Bristol, UK], England)
, том 568, с. 052013-1-052013-5
DOI
2013
Electron mobilities in isomorphic In0.53Ga0.47As quantum wells on InP substrates
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Vasil'evskii I.S.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
в журнале
Journal of Experimental and Theoretical Physics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 116, № 5, с. 755-759
DOI
2013
Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structures
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Vasilievskii I.S.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 7, с. 935-942
DOI
2013
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
Хабибуллин Р.А.
,
Галиев Г.Б.
, Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Кульбачинский В.А.
,
Боков П.Ю.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Мальцев П.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 47, № 9, с. 1215-1220
2012
Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
Ponomarev D.S.
,
Vasil’evskii I.S.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Khabibullin R.A.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Uzeeva N.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 46, № 4, с. 484-490
DOI
2012
Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
Пономарев Д.С.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Гладков В.П.
,
Кульбачинский В.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Каргин Н.И.
,
Стриханов М.Н.
в журнале
Ядерная физика и инжиниринг
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 3, № 2, с. 1-6
2012
Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Юзеева Н.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 46, № 4, с. 500-506
2011
Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
Khabibullin R.A.
,
Vasil’evskii I.S.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Ponomarev D.S.
,
Gladkov V.P.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Klochkov A.N.
,
Uzeeva N.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 45, № 5, с. 657-662
2011
Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Пономарев Д.С.
,
Гладков В.П.
,
Кульбачинский В.А.
,
Клочков А.Н.
,
Юзеева Н.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 45, № 5, с. 666-671
2011
Структурные и электрофизические свойства квантовых ям с наноразмерными вставками InAs в гетероструктурах на основе InyAl1-yAs/InxGa1-xAs на подложках InP
Васильев А.Л.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Имамов Р.М.
,
Климов Е.А.
,
Ковальчук М.В.
,
Пономарев Д.С.
,
Роддатис В.В.
,
Субботин И.А.
в журнале
Кристаллография
, издательство
ФГУП Издательство «Наука»
(Москва)
, том 56, № 2, с. 324-335
2004
Electron magnetotransport in coupled quantum wells with double-sided doping
Galiev G.B.
, Kaminskii V.E.,
Vasil'evskii I.S.
,
Kul'bachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 11, с. 1326-1331
DOI
2003
Electron transport in coupled quantum wells with double-sided doping
Galiev G.B.
,
Kaminskii V.E.
,
Mokerov V.G.
,
Kul'bachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Vasil'evskii I.S.
,
Derkach A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 6, с. 686-691
DOI
2003
Peculiarities of conductivity in structures delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate
Kulbachinskii V.A.
,
Galiev G.B.
,
Mokerov V.G.
,
Lunin R.A.
,
Rogozin V.A.
,
Derkach A.V.
,
Vasil'evskii I.S.
в журнале
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 17, № 1-4, с. 172-173
DOI
Статьи в сборниках
2012
The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Vasilievskii I.S.
,
Klimov E.A.
в сборнике
Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod
, место издания
Nizhny Novgorod
, с. 199-200
2003
Electron properties of delta-doped by Si on vicinal (111)A and (111)B surface GaAs structures
Kulbachinskii V.A.
,
Galiev G.B.
,
Kaminskii V.E.
,
Rogozin V.A.
,
Lunin R.A.
,
Kytin V.G.
,
Derkach A.V.
в сборнике
11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings
, место издания
Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
, с. 316-318
2003
Peculiarities of electron transport in the coupled AlGaAs/GaAs quantum wells with thin central barrier
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Vasil’evskii I.S.
,
Galiev G.B.
,
Mokerov V.G.
,
Kaminskii V.E.
в сборнике
11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings
, место издания
Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia St. Petersburg
, с. 402-403
2003
Quasi-1D channels in Si delta-doped GaAs grown on vicinal (111)A GaAs substrate
Rogozin V.A.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
,
Derkach A.V.
,
Vasil'evskii I.S.
,
Galiev G.B.
,
Mokerov V.G.
в сборнике
"Physics, Chemistry and Application of Nanostructures", Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003, (ed. V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin), Minsk, Belarus, 20-23 May
, место издания
World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd Singapore
, с. 503-506
Книги
2010
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
Кульбачинский В.А.
,
Кытин В.Г.
,
Лунин Р.А.
,
Сеничкин А.П.
,
Бугаев А.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Имамов Р.М.
,
Васильевский И.С.
место издания
Техносфера Москва
, ISBN 978-5-94836-255-7, 432 с.
Доклады на конференциях
2015
Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале
(Устный)
Авторы:
Овешников Л.Н.
,
Кульбачинский В.А.
,
Пушкарев С.С.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Лунин Р.А.
XII Российская конференция по физике полупроводников
, Москва, Ершово, Россия, 20-25 сентября 2015
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
Авторы:
Bokov P.
,
Avalyants L.
,
Chervyakov A.
,
Vasilevskii I.
,
Klimov E.
,
Lyalin I.
,
Galiev G.
32 International Conference on Physics of Semiconductors
, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
2014
SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Klimov E.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Lunin R.A.
27th International Conference on Low Temperature Physics
, Argentina, Buenos Aires, Аргентина, 2014
2014
Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
Авторы:
Овешников Л.Н.
,
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Пушкарев С.С.
,
Климов Е.А.
,
Галиев Г.Б.
5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения»
, Москва, НИЯУ-МИФИ, Россия, 2014
2014
Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
Авторы:
Сорокоумова А.В.
,
Лунин Р.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Кульбачинский В.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Юзеева Н.А.
,
Климов Е.А.
XII Курчатовская молодежная научная школа
, Москва, Россия, Россия, 28-31 октября 2014
2014
Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
Авторы:
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Пушкарев С.С.
XII Курчатовская молодежная научная школа
, Москва, Россия, Россия, 28-31 октября 2014
2013
Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
(Устный)
Авторы:
Юзеева Н.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Овешников Л.Н.
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013
, Москва, Россия, 1-6 февраля 2013
2012
Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Klimov E.A.
,
Galiev G.B.
,
Vasilievskii I.S.
,
Lunin R.A.
International Conference on Nanoscience and Technology
, Paris, 2012
2012
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
Авторы:
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Боков П.Ю.
2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
, Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Россия, 2012
2012
Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
Авторы:
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Васильевский И.С.
,
Климов Е.А.
36-е Совещание по физике низких температур
, Санкт-Петербург, Россия, Россия, 2012
2012
The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Klimov E.A.
,
Galiev G.B.
,
Vasilievskii I.S.
,
Yuzeeva N.A.
20th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” NNovgorod
, Нижний Новгород, Россия, 26 июня - 1 июля 2012
Тезисы докладов
2015
Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале
Овешников Л.Н.
,
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Пушкарев С.С.
в сборнике
Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2015»
, место издания
Ершово
, тезисы, с. 262
2015
Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In
Юзеева Н.А.
,
Сорокоумова А.В.
,
Лунин Р.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
XXXVII Совещание по физике низких температур
, место издания
Издательство Казанского университета Казань
, тезисы, с. 219
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
Bokov P.
,
Avalyants L.
,
Chervyakov A.
,
Galiev G.
,
Klimov E.
,
Lyalin I.
,
Vasilevskii I.
в сборнике
Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
, место издания
Остин, Техас, США
, тезисы
2014
SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
в сборнике
27th International Conference on Low Temperature Physics, Buenos Aires, Argentina, Abstracts book
, место издания
Buenos Aires, Argentina
, тезисы, с. 38-38
2014
Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
Овешников Л.Н.
,
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Пушкарев С.С.
,
Климов Е.А.
,
Юзеева Н.А.
в сборнике
5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», тезисы докладов
, тезисы, с. 52-53
2014
Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
Юзеева Н.А.
,
Сорокоумова А.В.
,
Лунин Р.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Климов Е.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
XII Курчатовская молодежная научная школа
, место издания
НИЦ "Курчатовский институт" Москва
, тезисы, с. 87-87
2014
Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
Овешников Л.Н.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Пушкарев С.С.
,
Лунин Р.А.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
XII Курчатовская молодежная научная школа
, место издания
НИЦ "Курчатовский институт" Москва
, тезисы, с. 79-79
2013
Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
Юзеева Н.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Васильевский И.С.
в сборнике
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии
, серия
Научная сессия НИЯУ МИФИ
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 2, тезисы, с. 183
редакторы
Богданович Б.Ю.
,
Голотюк Олег Николаевич
,
Диденко Андрей Николаевич
,
Стриханов М.Н.
2012
Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
Kulbachinskii V.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Lunin R.A.
,
Galiev G.B.
,
Vasilievskii I.S.
,
Klimov E.A.
в сборнике
Book of abstracts of International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T 2012)
, место издания
Paris, France
, тезисы, с. 73
2012
Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Юзеева Н.А.
в сборнике
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии
, серия
Научная сессия НИЯУ МИФИ
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 2, тезисы, с. 202-202
редактор
Голотюк Олег Николаевич
2012
Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
КульбачинскийВ А.
в сборнике
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии
, серия
Научная сессия НИЯУ МИФИ
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 2, тезисы, с. 205
редактор
Голотюк Олег Николаевич
2012
Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Васильевский И.С.
,
Климов Е.А.
в сборнике
Тезисы докладов 36 Совещания по физики низких температур, 2-6 июля 2012 г., С. Петербург
, место издания
С. Петербург
, тезисы, с. 184-185
2011
Встроенное электрическое поле в приповерхностных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Хабибуллин Р.А.
в сборнике
Сборник аннотаций работ IX Курчатовской молодежной научной школы
, место издания
Москва
, тезисы, с. 136
2011
Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Пономарев Д.С.
,
Юзеева Н.А.
в сборнике
Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва
, место издания
Курчатовский институт Москва
, тезисы, с. 124
2010
Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Гладков В.П.
,
Климов Е.А.
,
Клочков А.Н.
,
Юзеева Н.А.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов
, серия
Научная сессия НИЯУ МИФИ
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 3, тезисы, с. 18-21
2010
Электронный транспорт в модулированно-легированных квантовых ямах и слоях InAs на основе метаморфных наногетероструктур
Пушкарев С.С.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Юзеева Н.А.
в сборнике
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов
, серия
Научная сессия НИЯУ МИФИ
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 3, тезисы, с. 26-29
2009
Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Матвеев Ю.А.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Гладков В.П.
,
Хабибуллин Р.А.
в сборнике
Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009
, место издания
РНЦ "Курчатовский институт" Москва
, тезисы, с. 215
2009
Особенности электронного транспорта в комбинированно-легированных квантовых ямах Al0.35Ga0.65As/InGaAs/Al0.35Ga0.65As с высокой концентрацией электронов Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Кульбачинский В.А.
,
Матвеев Ю.А.
в сборнике
Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009
, место издания
РНЦ "Курчатовский институт" Москва
, тезисы, с. 10-12
2008
Low Temperature Electron Magnetotransport in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As Quantum wells with high electron density
Vasil'evskii I.S.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Mokerov V.G.
,
Galiev G.B.
,
Tarucha S.
,
Oiwa A.
в сборнике
LT25 - 25th International Conference on Low Temperature Physics, August 6-13, 2008 Amsterdam, Netherlands, p.266-267
, место издания
Amsterdam, Netherlands
, тезисы, с. 266-267
2003
Подвижность электронов в связанных квантовых ямах AlGaAs/GaAs, разделенных барьером AlAs
Лунин Р.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Каминский В.Э.
,
Гурин П.В.
в сборнике
Тезисы докладов, XXXIII Совещание по физике низких температур, Секция N "Наноструктуры и низкоразмерные системы", Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г
, место издания
Екатеринбург
, тезисы, с. 298-299
НИРы
1 января 2016 - 31 декабря 2017
Эпитаксиальные низкотемпературные наногетероструктуры InGaAs и InGaAs/InAlAs со сверхмалым временем жизни фотовозбуждённых носителей заряда для фотопроводящих антенн
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии науки
Руководитель:
Галиев Г.Б.
Участники НИР:
Китаева Г.Х.
,
Климов Е.А.
,
Клочков А.Н.
,
Корниенко В.В.
,
Кузнецов К.А.
,
Пушкарев С.С.